參數(shù)資料
型號： TLP270D
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−MOS FET / Photo−Transistor
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 236K
代理商： TLP270D
TLP270D
2002-09-25
4
Photocoupler
(AC input transistor output)
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Forward current
I
F
50
mA
Forward current derating
(Ta
≥
25°C)
I
F
/ °C
0.5
mA / °C
Pulse forward current
(100 s pulse,100pps)
I
FP
1
A
L
Junction temperature
T
j
125
°C
Collector emitter voltage
V
CEO
80
V
Emitter collector voltage
V
ECO
7
V
Collector current
I
C
50
mA
Collector power dissipation
(1 circuit)
P
C
150
mW
Collector power dissipation
derating(Ta
≥
25°C) (1 circuit)
P
C
/ °C
1.5
mW / °C
D
Junction temperature
T
j
125
°C
Individual Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward voltage
V
F
I
F
10mA
1.0
1.15
1.3
V
L
Capacitance
C
T
V 0, f 1MHz
―
60
―
pF
Collector emitter
breakdown voltage
V
(BR)CEO
I
C
0.5mA
80
―
―
V
Emitter collector
breakdown voltage
V
(BR)ECO
I
E
0.1mA
7
―
―
V
V
CE
48V
(ambient light: 100 lx)
―
―
0.01
(2)
0.1
(20)
A
Collector dark current
I
D
V
CE
48V, T
a
85°C
(ambient light: 100 lx)
―
―
2
(4)
50
(50)
A
D
Capacitance
C
CE
V 0, f 1MHz
―
10
―
pF
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