參數(shù)資料
型號： TLP2601
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Photocoupler GaALAs Ired & Photo−IC
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 217K
代理商： TLP2601
TLP2601
2002-09-25
2
Recommended Operating Conditions
Characteristic
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Input current, low level
I
FL
0
250
μA
Input current, high level
I
FH
6.3 (*)
20
mA
Supply voltage, output
V
CC
4.5
5.5
V
High level enable voltage
V
EH
2.0
V
CC
V
Low level enable voltage
V
EL
0
0.8
V
Fan out (TTL load)
N
8
Operating temperature
T
opr
0
70
°C
(*) 6.3mA is a guard banded value which allows for at least 20% CTR degradation.
Initial input current threshold value is 5.0mA or less.
Maximum Ratings
(no derating required)
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Forward current
I
F
20
mA
L
Reverse voltage
V
R
5
V
Output current
I
O
25
mA
Output voltage
V
O
0.5~7
V
Supply voltage
(1 minute maximum)
V
CC
7
V
Enable input voltage
(not to exceed V
CC
by more than 500mV)
V
E
5.5
V
D
Output collector power dissipation
P
o
40
mW
Operating temperature range
T
opr
40~85
°C
Storage temperature range
T
stg
55~125
°C
Lead solder temperature (10s)
(**)
T
sol
260
°C
2500
Vrms
Isolation voltage
(R.H.
≤
60%,AC 1min.,
(Note 10)
BV
S
3540
V
dc
(**) 1.6mm below seating plane.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TLP260J TOSHIBA Photocoupler GaAs IRED&Photo-triac
TLP2630 Dual Photocoupler (Consisting of A Pair of GaALAs Light emitting Diode and Integrated High Gain,High Speed Photodetector)(雙光電耦合器（含一對GaALAs發(fā)光二極管與高增益、高速光電探測器）)
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TLP270D TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−MOS FET / Photo−Transistor
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參數(shù)描述
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