參數(shù)資料
型號(hào)： TK19H50C
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (MOS VI)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅N溝道馬鞍山型（馬鞍山六）
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大?。?/td> 346K
代理商： TK19H50C
TK19H50C
2005-08-23
3
VGS
=
4V
4.5
5
5.25
6
8
10
5.5
Common source
Tc
=
25°C
Pulse Test
I
D
– V
DS
I
D
– V
DS
I
D
– V
GS
V
DS
– V
GS
20
30
40
50
0
8
12
16
20
4
0
10
8
12
16
20
0
8
12
16
20
4
0
4
0
2
4
6
8
10
2
3
4
5
0
1
4
8
0
40
60
80
20
0
2
10
6
VGS
=
4 V
4.5
5
5.5
Common source
Tc
=
25°C
Pulse Test
10
8
6
5.75
Common source
VDS
=
10 V
Pulse Test
Tc
=
55°C
100
25
|Y
fs
| – I
D
10
100
1
10
100
1
Common source
VDS
=
10 V
Pulse Test
Tc
=
55°C
25
100
R
DS (ON)
– I
D
1
10
100
0.1
1.0
Common source
Tc
=
25°C
VGS
=
10 V
Pulse Test
Drain-source voltage VDS (V)
D
Drain-source voltage VDS (V)
D
Gate-source voltage VGS (V)
D
I
Gate-source voltage VGS (V)
Drain current ID (A)
Drain current ID (A)
D
R
)
D
F
Y
ID
=
19 A
4
9.5
Common source
Tc
=
25°C
Pulse Test
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PDF描述
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