參數(shù)資料
型號: TISP7XXXH3SL
廠商: Bourns Inc.
英文描述: TRIPLE ELEMENT BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
中文描述: 三重元雙向可控硅過電壓保護器
文件頁數(shù): 8/13頁
文件大?。?/td> 401K
代理商: TISP7XXXH3SL
MARCH 1999 - REVISED FEBRUARY 2005
Specifications are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their specific applications.
Typical Characteristics
TISP7xxxH3SL Overvoltage Protector Series
Figure 6.
Figure 7.
V
D
- Off-state Voltage - V
1
2
3
5
10
20 30
50
100 150
C
D
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
T
J
= 25
°
C
V
d
= 1 Vrms
'7070 THRU '7095
'7250 THRU '7400
TC7AAIA
'7125 THRU '7220
V
DRM
- Repetitive Peak Off-State Voltage - V
50
60 70 80
150
200
250 300
400
100
C
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
C = C
off(-2 V)
- C
off(-50 V)
'
'
'
'
'
'
'
'
'
'
'
'
T
'
'
'
NORMALIZED CAPACITANCE
vs
OFF-STATE VOLTAGE
DIFFERENTIAL OFF-STATE CAPACITANCE
vs
RATED REPETIVE PEAK OFF-STATE VOLTAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TISP7070H3SL-S TRIPLE ELEMENT BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
TISP7080H3SL TRIPLE ELEMENT BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
TISP7080H3SL-S TRIPLE ELEMENT BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
TISP7095H3SL-S TRIPLE ELEMENT BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
TISP7125H3SL-S TRIPLE ELEMENT BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TISP8200HDMR-S 功能描述:SCR Buffered P-Gate SCR Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISP8200MDR 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISP8200MDR-S 功能描述:SCR PROTECTOR - BUFFERED P-GATE PROG. PROT. RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISP8201HDMR-S 功能描述:SCR Buffered N-Gate SCR Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube
TISP8201MDR 功能描述:SCR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):5 uA 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS): 正向電壓下降:1.6 V 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 最大柵極峰值反向電壓:5 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):35 mA 保持電流(Ih 最大值):75 mA 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220 封裝:Tube