參數(shù)資料
型號： TIS90
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | TO-92
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 40V的五（巴西）總裁|到92
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 112K
代理商： TIS90
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TIS61 TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-92
TIS60 TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-92
MPSA05DA TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP
MPSA05DB TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | CHIP
ZTX451DA Transient Voltage Suppressor Diodes
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參數(shù)描述
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TIS92 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 400MA I(C) | TO-92VAR
TIS93 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ -40V/ -800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIS93_J35Z 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP MED PWR/GPA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIS93_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/ -40V/ -800mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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