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參數(shù)資料
| 型號： | TIPL761C |
| 廠商： | Power Innovations International, Inc. |
| 英文描述： | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | NPN硅功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 166K |
| 代理商： | TIPL761C |
TIPL761B, TIPL761C
NPN SILICON POWER TRANSISTORS
6
MAY 1989 - REVISED MARCH 1997
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
SOT-93
3-pin plastic flange-mount package
This single-in-line package consists of a circuit mounted on a lead frame and encapsulated within a plastic
compound. The compound will withstand soldering temperature with no deformation, and circuit performance
characteristics will remain stable when operated in high humidity conditions. Leads require no additional
cleaning or processing when used in soldered assembly.
MECHANICAL DATA
SOT-93
ALL LINEAR DIMENSIONS IN MILLIMETERS
4,90
4,70
1,37
1,17
0,78
0,50
2,50 TYP.
15,2
14,7
12,2 MAX.
16,2 MAX.
18,0 TYP.
31,0 TYP.
1,30
1,10
11,1
10,8
4,1
4,0
3,95
4,15
1
2
3
NOTE A: The centre pin is in electrical contact with the mounting tab.
MDXXAW
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIPL761 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIPL761A | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIPL761 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIPL761A | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIPL762 | RES 18 OHM 1% 3W SILICONE WW |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TIPL761C-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1200V 4A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIPL761-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 850V 4A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIPL762 | 制造商:Bourns Inc 功能描述:NPN TRANSISTOR 850V 6A |
| TIPL762A | 制造商:POINN 制造商全稱:Power Innovations Ltd 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| TIPL762A-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1000V 6A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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