參數(shù)資料
型號(hào)： TIPL760C
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： NPN SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： NPN硅功率晶體管
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 161K
代理商： TIPL760C
5
MAY 1989 - REVISED MARCH 1997
TIPL760B, TIPL760C
NPN SILICON POWER TRANSISTORS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
MAXIMUM SAFE OPERATING REGIONS
Figure 7.
THERMAL INFORMATION
Figure 8.
MAXIMUM FORWARD-BIAS
SAFE OPERATING AREA
V
CE
- Collector-Emitter Voltage - V
1·0
10
100
1000
I
C
0·01
0.1
1·0
10
SAP741AF
t
p
= 10
μ
s
t
p
= 100
μ
s
t
p
= 1 ms
t
p
= 10 ms
DC Operation
TIPL760B
TIPL760C
THERMAL RESPONSE JUNCTION TO CASE
vs
POWER PULSE DURATION
1·0
t1 - Power Pulse Duration - s
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
Z
θ
J
/
θ
J
0·01
0·1
TCP741AM
t1
t2
duty cycle = t1/t2
Read time at end of t1,
T
J(max)
- T
C
= P
D(peak)
·
· R
θ
JC(max)
Z
θ
JC
R
JC
( )
5%
10%
20%
50%
0%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TIPL760 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIPL760A NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIPL761B NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIPL761C NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIPL761 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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TIPL760C-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1200V 4A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIPL760-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 850V 4A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIPL761 制造商:Bourns Inc 功能描述:
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