參數(shù)資料
型號: TIPL760B
廠商: Power Innovations International, Inc.
英文描述: NPN SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述: NPN硅功率晶體管
文件頁數(shù): 3/7頁
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代理商: TIPL760B
3
MAY 1989 - REVISED MARCH 1997
TIPL760B, TIPL760C
NPN SILICON POWER TRANSISTORS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
PARAMETER MEASUREMENT INFORMATION
Figure 1. Inductive-Load Switching Test Circuit
Figure 2. Inductive-Load Switching Waveforms
RB(on)
VBE(off)
Vclamp= 400 V
vcc
μ
H
180
33
+5V
D45H11
BY205-400
BY205-400
2N2222
BY205-400
5X BY205-400
BY205-400
1 k
68
1 k
47
2N2904
D44H11
100
270
V Gen
+5V
1 k
0.02
μ
F
TUT
1 pF
33
Adjust pw to obtain I
C
For I
C
< 6 A V
CC
= 50 V
For I
C
6 A V
CC
= 100 V
Base Current
A (90%)
IB(on)
IB
Collector Voltage
Collector Current
D (90%)
E (10%)
F (2%)
C
B
90%
10%
VCE
IC(on)
A - B = t
sv
B - C = t
rv
D - E = t
fi
E - F = t
ti
B - E = t
xo
NOTES: A. Waveforms are monitored on an oscilloscope with the following characteristics: t
r
< 15 ns, R
in
> 10
, C
in
< 11.5 pF.
B. Resistors must be noninductive types.
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PDF描述
TIPL760C NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIPL760 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIPL760A NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIPL761B NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIPL761C NPN SILICON POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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TIPL760-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 850V 4A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2