參數(shù)資料
型號： TIP41AB
英文描述： Plastic-Encapsulated Transistors
中文描述： 塑料封裝晶體管
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 55K
代理商： TIP41AB
TO-220 Plastic-Encapsulate
d
Transistors
TIP41A/41B/41C
TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
Power dissipation
P
CM:
2 W (Tamb=25
℃
)
Collector current
I
CM:
6 A
Collector-base voltage
V
(BR)CBO
: TIP41A : 60 V
TIP41B : 80 V
TIP41C : 100 V
Operating and storage junction temperature range
T
J
, T
stg
: -55
℃
to +150
℃
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25
Parameter
℃
unless otherwise specified)
Symbol
Test conditions
MIN
MAX
UNIT
41A
Collector-base breakdown voltage 41B
41C
V
(BR)
CBO
Ic= 1mA, I
E
=0
60
80
100
60
80
100
V
41A
Collector-emitter breakdown voltage 41B
41C
V
(BR)
CEO
Ic= 30mA, I
B
=0
V
Emitter-base breakdown voltage
V
(BR)
EBO
I
E
= 1mA, I
C
=0
5
V
41A
Collector cut-off current 41B
41C
I
CBO
V
CB
=60V, I
E
=0
V
CB
=80V, I
E
=0
V
CB
=100V, I
E
=0
0.4
mA
41A
Collector cut-off current 41B
41C
I
CEO
V
CE
= 30V, I
B
= 0
V
CE
= 30V, I
B
= 0
V
CE
= 60V, I
B
= 0
0.7
mA
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
=5V, I
C
=0
1
mA
h
FE(1)
V
CE
= 4V, I
C
= 0.3A
30
DC current gain
h
FE(2)
V
CE
=4 V, I
C
= 3A
15
75
Collector-emitter saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=6A, I
B
=0.6A
1.5
V
Base-emitter voltage
V
BE(on
V
CE
= 4V, I
C
=6A
2
V
Transition frequency
f
T
V
CE
=10V , I
C
=0.5A
f =1MHz
3
MH
Z
1 2 3
TO-220
1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
Transys
Electronics
L I
M
I T E
D
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TIP41AC Plastic-Encapsulated Transistors
TJA1050 CAN High-Speed Transceiver(CAN高速收發(fā)器)
TJA1053 Fault-tolerant CAN transceiver(容錯CAN收發(fā)器)
TJA1054 Fault-tolerant CAN transceiver(容錯CAN收發(fā)器)
TK1-L2-1.5V ULTRA LOW PROFILE 2 AMP. POLARIZED RELAY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TIP41A-BP 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP41AC 制造商:TRSYS 制造商全稱:Transys Electronics 功能描述:Plastic-Encapsulated Transistors
TIP41AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 60V 65W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP41A-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 6A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP41ATU 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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