參數(shù)資料
型號： TIP36
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： PNP SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 進步黨硅功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大小： 107K
代理商： TIP36
3
JULY 1968 - REVISED MARCH 1997
TIP36, TIP36A, TIP36B, TIP36C
PNP SILICON POWER TRANSISTORS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1.
Figure 2.
Figure 3.
TYPICAL DC CURRENT GAIN
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
-0·1
-1
-10
-100
h
F
1
10
100
1000
TCS636AA
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300 μs, duty cycle < 2%
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
vs
BASE CURRENT
-10
I
B
- Base Current - A
-0·001
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-100
V
C
-0·01
-0·1
-1·0
TCS636AB
I
C
= -25 A
I
C
= -20 A
I
C
= -15 A
I
C
= -10 A
I
C
= -300 mA
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
BASE-EMITTER VOLTAGE
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
-0·1
-1·0
-10
-100
V
B
-0·6
-0·8
-1·0
-1·2
-1·4
-1·6
-1·8
TCS636AC
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
相關PDF資料
PDF描述
TIP36A PNP SILICON POWER TRANSISTORS
TIP36B PNP SILICON POWER TRANSISTORS
TIP36C PNP SILICON POWER TRANSISTORS
TIP41C EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)
TIP41C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TIP36A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 125W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP36AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 125W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP36A-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 25A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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TIP36BG 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon High?Power Transistors
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