參數(shù)資料
型號: TIP35A
廠商: Power Innovations International, Inc.
英文描述: NPN SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述: NPN硅功率晶體管
文件頁數(shù): 3/6頁
文件大?。?/td> 107K
代理商: TIP35A
3
JULY 1968 - REVISED MARCH 1997
TIP35, TIP35A, TIP35B, TIP35C
NPN SILICON POWER TRANSISTORS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1.
Figure 2.
Figure 3.
TYPICAL DC CURRENT GAIN
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
0·1
1·0
10
100
h
F
1
10
100
1000
TCS635AA
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300 μs, duty cycle < 2%
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
vs
BASE CURRENT
10
I
B
- Base Current - A
0·001
0·01
0·1
1·0
10
100
V
C
0·01
0·1
1·0
TCS635AB
I
C
= 25 A
I
C
= 20 A
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
I
C
= 300 mA
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
BASE-EMITTER VOLTAGE
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
0·1
1·0
10
100
V
B
0·6
0·8
1·0
1·2
1·4
1·6
1·8
2·0
TCS635AC
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
相關PDF資料
PDF描述
TIP35B NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIP35C NPN SILICON POWER TRANSISTORS
TIP36E POWER TRANSISTORS(25A,120-160V,125W)
TIP35D POWER TRANSISTORS(25A,120-160V,125W)
TIP35E POWER TRANSISTORS(25A,120-160V,125W)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
TIP35A_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon High?Power Transistors
TIP35AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP35A-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 25A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP35B 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR TO-218AC 80V 25A 125W BCE
TIP35BG 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon High?Power Transistors