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參數(shù)資料
| 型號： | TIP33AF |
| 英文描述： | NPN POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | NPN電源晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 133K |
| 代理商： | TIP33AF |
NPN POWER TRANSISTORS
TIP33F, 33AF, 33BF, 33CF
TIP 34F,34AF, 34BF, 34CF
TO -3P
Plastic Package
Complementary TIP34F, 34AF, 34BF, 34CF
General Purpose Power Amplifier and Switching Applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25oC unless specified otherwise )
DESCRIPTION
SYMBOL
33F
34F
>40
>40
33AF 33BF
34AF 34BF
>60
>60
<5.0
<10
<15
<3.0
<80
<0.64
<150
-55 to +150
33CF
34CF
>100
>100
UNITS
Collector -Base Voltage(open emitter)
Collector -Emitter Voltage(open base)
Emitter Base Voltage(open collector)
Collector Current
Collector Current (Peak Valule ) (1)
Base Current
Total Power Dissipation upto Tc=25o C
Derate above 25oC
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
C
I
B
P
tot
>80
>80
V
V
V
A
A
A
W
W/oC
oC
oC
T
j
T
stg
THERMAL RESISTANCE
Junction to Case
Junction to Ambient
R
th (j-c)
R
th (j-a)
oC/W
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25oC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
SYMBOL
33F
34F
<0.7
33AF 33BF
34AF 34BF
<0.7
33CF
34CF
UNITS
Collector Cut off Current
I
CEO
I
CEO
I
CES
V
CE
=30V, I
B
=0
V
CE
=60V, I
B
=0
V
EB
=0, V
CE
=Rated V
CEO
m
Α
m
Α
m
Α
<0.7
<0.7
Emitter Cut off Current
I
EBO
V
EB
=5V, I
C
=0
mA
Breakdown Voltages
V
CEO (sus)
* I
C
=30mA, I
B
=0
V
CBO
I
C
=1mA, I
E
=0
V
EBO
I
E
=1mA, I
C
= 0
>40
>40
<60
<60
<80
<80
<100
<100
V
V
V
Saturation Voltages
V
CE(sat)
*
I
C
=3A, I
B
=0.3A
I
C
=10A, I
B
=2.5A
V
V
>5.0
<1.0
<4.0
35.7
1.56
< 0.4
<1.0
B
C
E
Transys
Electronics
L I
M
I T E
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP33BF | NPN POWER TRANSISTORS |
| TIP33CF | NPN POWER TRANSISTORS |
| TIP33F | NPN POWER TRANSISTORS |
| TIP34AF | NPN POWER TRANSISTORS |
| TIP34BF | NPN POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TIP33AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 80W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP33A-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 10A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP33B | 制造商:Bourns Inc 功能描述:NPN TRANSISTOR 80V 10A 制造商:NTE Electronics 功能描述:T-NPN SI- PWR AMP |
| TIP33BF | 制造商:CDIL 制造商全稱:Continental Device India Limited 功能描述:TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL |
| TIP33B-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 10A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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