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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TIP126 |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 中文描述： | 5 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/2頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | TIP126 |
1
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschludrhte in 5 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1
TIP125, TIP126, TIP127
Darlington Transistors
PNP
Si-Epitaxial
PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren
PNP
Version 2004-07-01
Collector current – Kollektorstrom
5 A
Plastic case
Kunststoffgehuse
TO-220AB
Weight approx. – Gewicht ca.
2.2 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
1 = B1
2 = C2
3 = E2
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Grenzwerte
(T
A
= 25°C)
TIP126
80 V
TIP125
60 V
TIP127
100 V
Collector-Emitter-voltage
B open
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
Collector-Base-voltage
E open
60 V
80 V
100 V
Emitter-Base-voltage
C open
50 V
Power dissipation – Verlustleistung
without cooling – ohne Kühlung
with cooling – mit Kühlung
T
C
= 25°C
P
tot
P
tot
- I
C
2 W
1
)
65 W
Collector current – Kollektorstrom (dc)
5 A
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - I
CM
Base current – Basisstrom (dc)
8 A
- I
B
T
j
T
S
120 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
- 65…+ 150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
- 65…+ 150°C
Characteristics (T
j
= 25°C)
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
Min.
Max.
Collector-Emitter cutoff current – Kollektorreststrom
I
B
= 0, - V
CE
= 30 V
I
B
= 0, - V
CE
= 40 V
I
B
= 0, - V
CE
= 50 V
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
TIP125
TIP126
TIP127
- I
CE0
- I
CE0
- I
CE0
–
–
–
–
–
–
500 nA
500 nA
500 nA
I
E
= 0, - V
CB
= 60 V
I
E
= 0, - V
CB
= 80 V
I
E
= 0, - V
CB
= 100 V
TIP125
TIP126
TIP127
- I
CB0
- I
CB0
- I
CB0
–
–
–
–
–
–
200 nA
200 nA
200 nA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP125 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| TIP126 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| TIP125 | Power Darlingtons for Linear and Switching Applications |
| TIP126 | Power Darlingtons for Linear and Switching Applications |
| TIP126 | PNP (MEDIUM POWER LINEAR SWITCHING APPLICATIONS) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TIP126 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR DARLINGTON TO-220 |
| TIP126_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Darlington Transistor |
| TIP126-BP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -80V -5A 40W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP126D | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 800V 12A SCR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| TIP126G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 BIP PNP 8A 80V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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