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參數(shù)資料
| 型號： | TIP125A |
| 廠商： | DIOTEC SEMICONDUCTOR AG |
| 英文描述： | Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| 中文描述： | 硅外延PlanarTransistors |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | TIP125A |
1
) Tested with pulses t
= 300 μs, duty cycle
≤
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300 μs, Schaltverhltnis
≤
2%
2
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschludrhte in 5 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
Darlington Transistors
TIP125, TIP126, TIP127
Characteristics (T
j
= 25°C)
Kennwerte (T
j
= 25°C)
Typ.
Min.
Max.
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 5 V
Collector saturation voltage – Kollektor-Sttigungsspg.
1
)
- I
EB0
–
–
2 mA
- I
C
= 3 A, - I
B
= 12 mA
- I
C
= 5 A, - I
B
= 20 mA
Base-Emitter on-voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
- V
CEsat
- V
CEsat
–
–
–
–
2 V
4 V
- I
C
= 3 A, - V
CE
= 3 V
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhltnis
1
)
- V
BEon
–
–
2.5 V
- V
CE
= 3 V, - I
C
= 0.5 A
- V
CE
= 3 V, - I
C
= 3 A
Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstrkung
h
FE
h
FE
1000
1000
–
–
–
–
- V
CE
= 4 V, - I
C
= 3 A, f = 1 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazitt
h
fe
4
–
–
- V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 100 kHz
Thermal resistance – Wrmewiderstand
C
CB0
–
–
200 pF
junction to ambient air – Sperrschicht zu umgebender Luft
junction to case – Sperrschicht zu Gehuse
R
thA
R
thC
62.5 K/W
2
)
2 K/W
Admissible torque for mounting
Zulssiges Anzugsdrehmoment
M 4
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
Recommended complementary NPN transistors
Empfohlene komplementre NPN-Transistoren
TIP120, TIP121, TIP122
Equivalent Circuit – Ersatzschaltbild
B1
C2
E2
T1
T2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TIP125 | POWER TRANSISTORS(5.0A,60-100V,65W) |
| TIP126 | POWER TRANSISTORS(5.0A,60-100V,65W) |
| TIP125 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
| TIP126 | PNP SILICON POWER DARLINGTONS |
| TIP130 | POWER TRANSISTORS(8.0A,60-100V,70W) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TIP125-BP | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP -60V -5A 40W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| TIP125G | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 5A 60V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| TIP125GE | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| TIP125H514 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| TIP125-S | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP DARLINGTON 60V 5A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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