參數(shù)資料
型號(hào)： TIP102
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
中文描述： 互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管（互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
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代理商： TIP102
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
1.56
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CEO
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
for
TIP100/TIP105
for
TIP106
for
TIP102/TIP107
V
CE
= 30 V
V
CE
= 40 V
V
CE
= 50 V
50
50
50
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
for
TIP100/TIP105
for
TIP106
for
TIP102/TIP107
V
CE
= 60 V
V
CE
= 80 V
V
CE
= 100 V
50
50
50
I
EBO
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
* Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
EB
= -5 V
8
mA
I
C
= 30 mA
for
TIP100/TIP105
for TIP106
for TIP102/TIP107
60
80
100
V
V
V
V
CE(sat)
*
Collector-Emitter
Saturation Voltage
I
C
= 3 A
I
C
= 8 A
I
B
= 6 mA
I
B
= 80 mA
2
2.5
V
V
V
BE
*
Base-Emitter Voltage
I
C
= 8 A
V
CE
= 4 V
2.8
V
h
FE
*
DC Current Gain
I
C
= 3 A
I
C
= 8 A
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
1000
200
20000
V
F
*
Forward Voltage of
Commutation Diode
(I
B
= 0)
I
F
= - I
C
= 10 A
2.8
V
* For PNP types voltage and current values are negative.
Safe OperatingArea
TIP100/TIP102/TIP105/TIP106/TIP107
2/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TIP100 Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
TIP105 Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
TIP106 Complementary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
TIP131 Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
TIP137 Complemetary Silicon Power Darlington Transistors(互補(bǔ)硅功率達(dá)林頓晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TIP102 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Darlington NPN Transistor 制造商:STMicroelectronics 功能描述:DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-220
TIP102_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
TIP102-BP 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V 8A 80W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
TIP102G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
TIP102G-TN3-R 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN EPITAXIAL TRANSISTOR
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