參數(shù)資料
型號： THDT6511D
廠商： 意法半導體
元件分類： TVS-瞬態(tài)抑制二極管
英文描述： TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR SLIC PROTECTION
中文描述： 瞬態(tài)電壓抑制器保護的用戶接口
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： THDT6511D
Symbol
Parameter
Value
Unit
I
PP
Peak pulsecurrent
(see note1)
10/1000
μ
s
5/310
μ
s
2/10
μ
s
40
50
125
A
I
TSM
Non repetitivesurge peak on-statecurrent
F = 50 Hz
t = 300ms
t = 1 s
t = 5 s
10
3.5
1
A
I
TSM
F = 50 Hz, 60x 1 s,2 mn betweenpulse
1
A
T
stg
T
j
Storage temperaturerange
Maximum junctiontemperature
- 55 to+ 150
150
°
C
T
L
Maximum leadtemperatureforsoldering during 10s
260
°
C
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
amb
= 25
°
C)
Note 1 :
Pulse waveform :
10/1000
μ
s
5/310
μ
s
2/10
μ
s
tr=10
μ
s
tr=5
μ
s
tr=2
μ
s
tp=1000
μ
s
tp=310
μ
s
tp=10
μ
s
100
50
% I
PP
t
t
r
p
0
t
Symbol
Parameter
Value
Unit
R
th (j-a)
Junctionto ambient
170
°
C/W
THERMAL RESISTANCES
I
I
F
V
BO
V
RM
I
RM
V
F
V
I
pp
I
H
I
BO
V
BR
Symbol
V
RM
I
RM
V
BR
V
BO
I
H
V
F
V
FP
I
BO
I
PP
C
α
T
Parameter
Stand-offvoltage
Leakagecurrentat stand-offvoltage
Breakdownvoltage
Breakovervoltage
Holdingcurrent
Forward voltagedrop
Peak forwardvoltage
Breakovercurrent
Peak pulsecurrent
Capacitance
Temperaturecoefficient
ELECTRICALCHARACTERISTICS
(T
amb
= 25
°
C)
THDT6511D
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PDF描述
THDT6511DRL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR SLIC PROTECTION
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THM321000SG-10 1,048,576 WORDS x 32 BIT DYNAMIC RAM MODULE
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參數(shù)描述
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