參數(shù)資料
型號： THD277HI
廠商： 意法半導體
英文描述： High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor(高電壓快速開關NPN功率晶體管)
中文描述： 高壓快速NPN電源開關晶體管（高電壓快速開關npn型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： THD277HI
THERMAL DATA
R
thj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
2.5
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
μ
A
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Emitter-Base Voltage
V
CE
= 1500 V
200
I
EBO
V
EB
= 5 V
50
μ
A
V
EBO
IE = 10 mA
10
V
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
DC Current Gain
I
C
= 100 mA
700
V
V
CE(sat)
I
C
= 4 A
I
B
= 1 A
0.9
V
V
BE(sat)
I
C
= 4 A
I
B
= 1 A
1.3
V
h
FE
I
C
= 4 A
I
C
= 4 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
T
j
= 100
o
C
6
4
13
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
V
CC
= 400 V
I
B1
= 1 A
I
C
= 4 A
I
B2
= -2 A
2.1
140
3.2
210
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 4 A
I
B1
= 1 A
V
ceflyback
= 1050 sin
f = 15625 Hz
I
B2
= -2 A
π
1010
6
t
V
4.3
370
μ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
Storage Time
Fall Time
I
C
= 4 A
I
B1
= 1 A
V
ceflyback
= 1050 sin
f = 31250 Hz
I
B2
= -2 A
π
1010
6
t
V
4.3
330
μ
s
ns
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
Safe OperatingArea
Thermal Impedance
THD277HI
2/5
相關PDF資料
PDF描述
THDT6511D TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR SLIC PROTECTION
THDT6511DRL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR SLIC PROTECTION
THM321000S-10 1,048,576 WORDS x 32 BIT DYNAMIC RAM MODULE
THM321000SG-10 1,048,576 WORDS x 32 BIT DYNAMIC RAM MODULE
THM321000SG-80 Chip-on-Glass (COG) Technology, 16 Characters x 2 Lines
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
THD2C230 制造商:Ssac 功能描述:
THD2C232 制造商:Ssac 功能描述:
THD2C233 制造商:Ssac 功能描述:
THD2C234 制造商:Ssac 功能描述:
THD2C235 制造商:Ssac 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*