參數(shù)資料
型號： TH58NVG1S3AFT05
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
中文描述： 東芝馬鞍山數(shù)字集成電路硅柵CMOS
文件頁數(shù)： 5/32頁
文件大小： 368K
代理商： TH58NVG1S3AFT05
2003-05-19A
5/32
TH58NVG1S3AFT05
AC TEST CONDITIONS
PARAMETER
CONDITION
Input level
2.4 V, 0.4 V
Input pulse rise and fall time
3ns
Input comparison level
1.5 V, 1.5 V
Output data comparison level
1.5 V, 1.5 V
Output load
C
L
(100 pF) 1 TTL
PROGRAMMING AND ERASING CHARACTERISTICS
(Ta
0 to 70
, V
CC
2.7V ~ 3.6V)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP.
MAX
UNIT
NOTES
t
PROG
Average Programming Time

200
700
P
s
N
Number of Programming Cycles on Same Page
(per 512+16 bytes)


2
(1)
t
BERASE
Block Erasing Time

2
4
ms
(1) Refer to Application Note (12) toward the end of this document.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TH7804A 50 AMP LATCHING POWER RELAY
TH7804ACC 50 AMP LATCHING POWER RELAY
TH7813A 50 MHz 1024/2048 Linear CCDs
TH7813ACC 50 MHz 1024/2048 Linear CCDs
TH7814A 50 MHz 1024/2048 Linear CCDs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
TH58NVG1S3AFT05DBJ 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:
TH58NVG4S0ETA20 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:NAND FLASH - Rail/Tube
TH58NVG4S0ETAK0 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:NAND FLASH - Rail/Tube
TH58NVG4S0FBAID 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:16GB SLC NAND BGA 32NM LB 10X11 (EEPROM) - Trays
TH58NVG4S0FTA20 功能描述:IC FLASH 16GBIT 25NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:1M (64K x 16) 速度:150ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*