參數(shù)資料
型號: TE28F640P30B85
廠商: INTEL CORP
元件分類: DRAM
英文描述: Intel StrataFlash Embedded Memory
中文描述: 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PDSO56
封裝: 14 X 20 MM, TSOP-56
文件頁數(shù): 43/102頁
文件大?。?/td> 1609K
代理商: TE28F640P30B85
1-Gbit P30 Family
Datasheet
Intel StrataFlash
Embedded Memory (P30)
Order Number: 306666, Revision: 001
April 2005
43
Note:
WAIT deasserted during asynchronous read and during write. WAIT High-Z during write per OE#
deasserted.
Figure 23.
Asynchronous Read-to-Write Timing
Q
D
R5
W7
W4
R10
R7
R6
R17
R15
W6
W3
W2
R9
R4
R8
R3
W8
W5
R1
R2
Address [A]
CE# [E}
OE# [G]
WE# [W]
WAIT [T]
Data [D/Q]
RST# [P]
Figure 24.
Write-to-Asynchronous Read Timing
D
Q
W1
R9
R8
R4
R3
R2
W7
W4
R17
R15
W14
W18
W3
R10
W6
W2
R1
W8
W5
Address [A]
ADV# [V]
CE# [E}
WE# [W]
OE# [G]
WAIT [T]
Data [D/Q]
RST# [P]
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PDF描述
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TE28F640P30T85 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Embedded Memory
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TE28F640P33T85A 功能描述:IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?(單線) 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)