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參數(shù)資料
| 型號： | TE28F400BX-B80 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 中文描述： | 256K X 16 FLASH 12V PROM, 80 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 20 X 14 MM, TSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 42/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 427K |
| 代理商： | TE28F400BX-B80 |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–WORD-WIDE
E
42
PRELIMINARY
ADDRESSES [A]
CE#(WE#) [E(W)]
OE# [G]
WE#(CE#) [W(E)]
DATA [D/Q]
RP# [P]
IH
V
IL
V
V
IH
IL
V
V
IH
IL
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IN
D
IN
A
IN
A
Valid
SRD
IN
D
IH
V
High Z
IH
V
IL
V
V [V]
PPH
V
V
PPLK
V
PPH
1
2
WP#
IL
V
IH
V
IN
D
A
B
C
D
E
F
W8
W6
W9
W3
W4
W7
W1
W5
W2
W10
W11
(Note 1)
(Note 1)
0580_16
NOTES:
1.
CE# must be toggled low when reading Status Register Data. WE# must be inactive (high) when reading Status Register
Data.
A.
B.
C.
D.
E.
F.
V
CC
Power-Up and Standby.
Write Program or Erase Setup Command.
Write Valid Address and Data (for Program) or Erase Confirm Command.
Automated Program or Erase Delay.
Read Status Register Data (SRD): reflects completed program/erase operation.
Write Read Array Command.
Figure 16. AC Waveform: Program and Erase Operations
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F400CV-B60 | INDUCTOR, CHIP, SHIELDED, 3.3H, 509MA, 10%, 1210 |
| TE28F400B3B90 | TVS BIDIRECT 400W 75V SMA |
| TE28F160B3TC70 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F160B3TC80 | 3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F400B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TE28F400BX-B90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| TE28F400BX-T80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F400BX-T90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| TE28F400CEB120 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| TE28F400CET120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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