參數資料
型號： TCS59SM808BFTL-70
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： 8M×4Banks×8Bits Synchronous DRAM(4組8M×8位同步動態(tài)RAM)
中文描述： 8米× 4Banks × 8位同步DRAM（4組8米× 8位同步動態(tài)RAM）的
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代理商： TCS59SM808BFTL-70
TC59SM816/08/04BFT/BFTL-70,-75,-80
2000-03-14 5/49
DC CHARACTERISTICS
(V
CC
=
3.3 V
±
0.3 V, Ta
=
0°~70°C)
-70
-75
-80
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS NOTES
OPERATING CURRENT
t
CK
=
min, t
RC
=
min
Active
Precharge command cycling
without burst operation
1 bank operation
I
CC1
80
75
70
3
CKE
=
V
IH
I
CC2
40
35
30
3
STANDBY CURRENT
t
CK
=
min,
CS
=
V
IH
,
V
IH/L
=
V
IH
(min) / V
IL
(max),
Bank: Inactive state
=
V
IL
CKE
CC2P
1
1
1
3
CKE
=
V
IH
I
CC2S
10
10
10
STANDBY CURRENT
CLK
=
V
IL
,
CS
=
V
IH
,
V
IH/L
=
V
IH
(min) / V
IL
(max),
Bank: Inactive state
=
V
IL
CKE
CC2PS
1
1
1
CKE
=
V
IH
I
CC3
60
55
50
NO OPERATING CURRENT
t
CK
=
min,
CS
=
V
IH
(min),
Bank: Active state (4 banks)
=
V
IL
CKE
CC3P
10
10
10
BURST OPERATING CURRENT
t
CK
=
min
Read/Write command cycling
I
CC4
100
95
90
3, 4
AUTO
REFRESH CURRENT
t
CK
=
min, t
RC
=
min
Auto
Refresh command cycling
I
CC5
170
160
150
3
Standard Products
(BFT)
3
3
3
SELF
REFRESH CURRENT
Self
Refresh mode
CKE
=
0.2 V
Low Power Version
(BFTL)
I
CC6
TBD
TBD
TBD
mA
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTES
INPUT LEAKAGE CURRENT
(0 V
≤
V
IN
≤
V
CC
, all other pins not under test
=
0 V)
I
I
(L)
5
5
μ
A
OUTPUT LEAKAGE CURRENT
(Output disable, 0 V
≤
V
OUT
≤
V
CCQ
)
I
O
(L)
5
5
μ
A
LVTTL OUTPUT H LEVEL VOLTAGE (I
OUT
=
2 mA)
V
OH
2.4
V
LVTTL OUTPUT L LEVEL VOLTAGE (I
OUT
=
2 mA)
V
OL
0.4
V
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PDF描述
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