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參數(shù)資料
| 型號： | TCS59SM804BFTL-80 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 16M×4Banks×4Bits Synchronous DRAM(4組16M×4位同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1,600 × 4Banks × 4Bits同步DRAM（4組1,600 × 4位同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 42/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 2423K |
| 代理商： | TCS59SM804BFTL-80 |
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TC59SM816/08/04BFT/BFTL-70,-75,-80
2000-03-14 42/49
Figure 16. Auto Precharge timing (Write cycle)
(1)
CAS
Latency
=
2
(a) Burst Length
=
1
Command
Write
DQ
AP
Act
D0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
t
RP
(b) Burst Length
=
2
Command
DQ
(c) Burst Length
=
4
Command
DQ
(d) Burst Length
=
8
Command
DQ
(2)
CAS
Latency
=
3
(a) Burst Length
=
1
Command
DQ
(b) Burst Length
=
2
Command
DQ
(c) Burst Length
=
4
Command
DQ
(d) Burst Length
=
8
Command
DQ
Write
AP
Act
D0
Write
AP
Act
D0
Write
D0
Write AP
Act
D0
t
RP
Write
AP
Act
D0
t
RP
Write
AP
Act
D0
t
RP
Write
AP
Act
t
RP
D0
D1
D1
D2
D3
AP
Act
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
D1
D1
D2
D3
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
t
WR
t
WR
t
WR
t
WR
t
WR
t
WR
t
WR
t
WR
Note)
represents the Write with Auto Precharge command.
represents the start of internal precharging.
AP
Act
When the Auto Precharge command is asserted, the period from the Bank Activate command to the start of internal
precharging must be at least t
RAS
(min).
t
RP
t
RP
t
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| TCS59SM808BFTL-75 | 8M×4Banks×8Bits Synchronous DRAM(4組8M×8位同步動態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| TCS5BF6A2 | 制造商:Digital Persona 功能描述:TCS5B (USB CHIPSET) REEL STAINLESS STEEL BEZEL LARGE PACKAGE - Bulk 制造商:UPEK 功能描述:TCS5B (USB CHIPSET) REEL STAINLESS STEEL BEZEL LARGE PACKAGE - Bulk |
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