- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384954 > TC58V32ADC (Toshiba Corporation) 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TC58V32ADC |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | 32M Bit (4M×8Bits ) CMOS Flash Memory(4M×8位CMOS閃速存儲器) |
| 中文描述： | 32兆位（4米× 8位）的CMOS閃存（4米× 8位的CMOS閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 1/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 1007K |
| 代理商： | TC58V32ADC |
當(dāng)前第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC59RM716RB-6 | 128M Bits（256K x16x32Banks）DRAM(128M位（256K x16x32組）動態(tài)RAM) |
| TC59RM716RB-7 | 128M Bits（256K x16x32Banks）DRAM(128M位（256K x16x32組）動態(tài)RAM) |
| TC59RM716RB-8 | 128M Bits（256K x16x32Banks）DRAM(128M位（256K x16x32組）動態(tài)RAM) |
| TC59RM718MB-6 | 144M Bits（256K x18x32Banks）DRAM(144M位（256K x18x32組）動態(tài)RAM) |
| TC59RM718MB-7 | 144M Bits（256K x18x32Banks）DRAM(144M位（256K x18x32組）動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TC58V32AFT | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:32 Mbit CMOS NAND E2PROM |
| TC58V64ADC | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:64-MBIT (8M X 8BITS) CMOS NAND E PROM (8M BYTE SmartMedia) |
| TC58V64AFT | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC58V64BDC | 功能描述:IC 64MBIT NAND FLASH 3V 44-TSOP RoHS:否 類別:存儲卡，模塊 >> 存儲器，PC 卡 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:- 存儲容量:8GB 存儲器類型:存儲卡 - Extreme III SD? |
| TC59 | 功能描述:鋁質(zhì)電解電容器 - 帶引線 50uF 250V RoHS:否 制造商:Kemet 引線類型: 電容:220 uF 容差:20 % 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍: 端接類型:Radial 外殼直徑:8 mm 外殼長度:11 mm 引線間隔:5 mm 產(chǎn)品:General Purpose Electrolytic Capacitors 封裝:Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。