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參數(shù)資料
| 型號： | TC55VEM208ASTN40 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| 中文描述： | 東芝馬鞍山數(shù)字集成電路硅柵CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 7/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 173K |
| 代理商： | TC55VEM208ASTN40 |
TC55VEM208ASTN40,55
2002-08-07 7/11
TIMING DIAGRAMS
READ CYCLE
(See Note 1)
WRITE CYCLE 1 (R/W CONTROLLED)
(See Note 4)
t
RC
t
ACC
t
OH
t
CO
OE
t
OD
VALID DATA OUT
t
OE
t
OEE
t
COE
t
ODO
Hi-Z
Hi-Z
CE
Address
A0~A18
D
OUT
I/O1~8
R/W
t
WC
t
AS
t
WR
t
WP
CE
t
CW
VALID DATA IN
t
ODW
t
DS
t
DH
t
OEW
(See Note 2)
Hi-Z
(See Note 5)
(See Note 3)
(See Note 5)
Address
A0~A18
D
OUT
I/O1~8
D
IN
I/O1~8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC55VEM208ASTN55 | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55VL818FF-75 | 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM) |
| TC55VL818FF-83 | 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉(zhuǎn)向靜態(tài) RAM) |
| TC58128DC | 128M Bit (16M×8Bits ) CMOS NAND EEPROM(16M×8位 CMOS與非EEPROM) |
| TC58128FTI | 128M Bit (16M×8Bits ) CMOS NAND EEPROM(16M×8位 CMOS與非EEPROM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TC55VEM208ASTN55 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55VEM208ASTN55LA | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC55VEM316AXBN | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55VEM316AXBN40 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| TC55VEM316AXBN55 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
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