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參數(shù)資料
| 型號： | TC55VCM216ASTN55 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | TENTATIVE TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
| 中文描述： | 馬鞍山暫定東芝數(shù)字集成電路硅柵CMOS |
| 文件頁數(shù)： | 5/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 201K |
| 代理商： | TC55VCM216ASTN55 |
TC55VCM216ASTN40,55
2002-07-04 5/14
AC CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS
(Ta
=
40° to 85°C, V
DD
=
2.7 to 3.6 V)
READ CYCLE
TC55VCM216ASTN
40
55
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
MIN
MAX
UNIT
t
RC
Read Cycle Time
40
55
t
ACC
Address Access Time
40
55
t
CO1
Chip Enable(
1
CE
) Access Time
40
55
t
CO2
Chip Enable(CE2) Access Time
40
55
t
OE
Output Enable Access Time
25
30
t
BA
Data Byte Control Access Time
40
55
t
COE
Chip Enable Low to Output Active
5
5
t
OEE
Output Enable Low to Output Active
0
0
t
BE
Data Byte Control Low to Output Active
5
5
t
OD
Chip Enable High to Output High-Z
20
25
t
ODO
Output Enable High to Output High-Z
20
25
t
BD
Data Byte Control High to Output High-Z
20
25
t
OH
Output Data Hold Time
10
10
ns
WRITE CYCLE
TC55VCM216ASTN
40
55
SYMBOL
PARAMETER
MIN
MAX
MIN
MAX
UNIT
t
WC
Write Cycle Time
40
55
t
WP
Write Pulse Width
30
40
t
CW
Chip Enable to End of Write
35
45
t
BW
Data Byte Control to End of Write
35
45
t
AS
Address Setup Time
0
0
t
WR
Write Recovery Time
0
0
t
ODW
R/W Low to Output High-Z
20
25
t
OEW
R/W High to Output Active
0
0
t
DS
Data Setup Time
20
25
t
DH
Data Hold Time
0
0
ns
Note: t
OD
, t
ODO
, t
BD
and t
ODW
are specified in time when an output becomes high impedance, and are not judged depending on
an output voltage level.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC55VD1618FF-133 | 1M Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(1M 字x18位同步無轉向靜態(tài) RAM) |
| TC55VD1636FF-133 | 512K Word x 36 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x36位同步無轉向靜態(tài) RAM) |
| TC55VD818FF-133 | 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉向靜態(tài) RAM) |
| TC55VD818FF-150 | 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉向靜態(tài) RAM) |
| TC55VD818FF-143 | 512K Word x 18 Bit Synchronous No-turnround Static RAM(512K 字x18位同步無轉向靜態(tài) RAM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TC55VCM216ASTN55(LA) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC55VCM316BSGN55LC | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: |
| TC55VCM316BTGN55LA | 功能描述:IC SRAM 8MBIT 55NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| TC55VCM416BSGN | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:1,048,576-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM |
| TC55VCM416BTGN | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:1,048,576-WORD BY 16-BIT FULL CMOS STATIC RAM |
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