參數(shù)資料
型號(hào)： TC514102J
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM
中文描述： 4194304 × 1位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
文件頁數(shù)： 9/22頁
文件大小： 681K
代理商： TC514102J
相關(guān)PDF資料
PDF描述
TC514102AJ-60 T-NPN- SI-LO-NOISE
TC514102ASJ-60 Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:20Vrms; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:250A; Clamping Voltage 8/20us Max :70V; Peak Energy (10/1000uS):1.5J; Package/Case:Radial Leaded; Clamping Voltage Max, Vc:70V
TC514102AP 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM
TC514102J10 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM
TC514102AZ-60 Tantalum Capacitor; Capacitor Type:General Purpose; Voltage Rating:4VDC; Capacitor Dielectric Material:Tantalum; Capacitance:1500uF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; ESR:0.2ohm; Leaded Process Compatible:Yes; Leakage Current:60uA RoHS Compliant: Yes
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參數(shù)描述
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