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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | TC514102AJ-60 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | T-NPN- SI-LO-NOISE |
| 中文描述： | 4194304 × 1位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁數(shù)： | 14/22頁 |
| 文件大小： | 681K |
| 代理商： | TC514102AJ-60 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC514102ASJ-60 | Metal Oxide Varistor (MOV); Voltage Rating AC, Vrms:20Vrms; Peak Surge Current (8/20uS), Itm:250A; Clamping Voltage 8/20us Max :70V; Peak Energy (10/1000uS):1.5J; Package/Case:Radial Leaded; Clamping Voltage Max, Vc:70V |
| TC514102AP | 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM |
| TC514102J10 | 4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM |
| TC514102AZ-60 | Tantalum Capacitor; Capacitor Type:General Purpose; Voltage Rating:4VDC; Capacitor Dielectric Material:Tantalum; Capacitance:1500uF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; ESR:0.2ohm; Leaded Process Compatible:Yes; Leakage Current:60uA RoHS Compliant: Yes |
| TC514260BJ | 262,144 WORD X 16 BIT DYNAMIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TC514102AP | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM |
| TC514102AP-60 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM |
| TC514102ASJ-60 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM |
| TC514102AZ-60 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM |
| TC514102J | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:4,194,304 x 1 BIT DYNAMIC RAM |
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