參數(shù)資料
型號(hào)： TC1411N
廠商： TelCom Semiconductor, Inc.
英文描述： 1A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS
中文描述： 1A條高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 66K
代理商： TC1411N
4-193
TELCOM SEMICONDUCTOR, INC.
7
6
5
4
3
1
2
8
1A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS
TC1411
TC1411N
0
20
40
60
80
100
16
14
12
10
8
6
4
V
DD
(VOLTS)
Rise Time vs. Supply Voltage
C
LOAD
= 1000pF
T
R
T
A
= –40
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 85
°
C
0
20
40
60
80
100
16
14
12
10
8
6
4
V
DD
(VOLTS)
Fall Time vs. Supply Voltage
C
LOAD
= 1000pF
T
F
T
A
=–40
°
C
T
A
=25
°
C
T
A
= 85
°
C
0
20
40
60
80
100
16
14
12
10
8
6
4
V
DD
(VOLTS)
T
D1
Propagation Delay vs. Supply Voltage
C
LOAD
= 1000pF
T
D
T
A
= –40
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 85
°
C
0
20
40
60
80
100
16
14
12
10
8
6
4
V
DD
(VOLTS)
T
D2
Propagation Delay vs. Supply Voltage
C
LOAD
= 1000pF
T
D
T
A
= –40
°
C
T
A
=25
°
C
T
A
= 85
°
C
0
500
1000
1500
C
LOAD
(pF)
2000
2500
3000
3500
0
20
40
60
80
100
Rise and Fall Times vs. Capacitive Load
T
A
= 25
°
C, V
DD
= 16V
T
R
,
F
T
FALL
T
RISE
Propagation Delays vs. Capacitive Load
T
A
= 25
°
C, V
DD
= 16V
P
T
D2
T
D1
0
500
1000
1500
C
LOAD
(pF)
2000
2500
3000
3500
26
28
30
32
34
36
TYPICAL CHARACTERISTICS
(Cont.)
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PDF描述
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