- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361367 > TC1410EPA (TelCom Semiconductor, Inc.) 30V N-Channel PowerTrench MOSFET PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | TC1410EPA |
| 廠商： | TelCom Semiconductor, Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 30V的N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | TC1410EPA |
4-187
TELCOM SEMICONDUCTOR, INC.
7
6
5
4
3
1
2
8
0.5A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS
TC1410
TC1410N
0
20
40
60
80
100
16
14
12
10
8
6
4
V
DD
(VOLTS)
Rise Time vs. Supply Voltage
C
LOAD
= 500pF
T
R
T
A
= –40
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 85
°
C
0
20
40
60
80
100
16
14
12
10
8
6
4
V
DD
(VOLTS)
Fall Time vs. Supply Voltage
C
LOAD
= 500pF
T
F
T
A
= –40
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 85
°
C
0
20
40
60
80
100
16
14
12
10
8
6
4
V
DD
(VOLTS)
T
D1
Propagation Delay vs. Supply Voltage
C
LOAD
= 500pF
T
D
T
A
= –40
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 85
°
C
0
20
40
60
80
100
16
14
12
10
8
6
4
V
DD
(VOLTS)
T
D2
Propagation Delay vs. Supply Voltage
C
LOAD
= 500pF
T
D
T
A
= –40
°
C
T
A
= 25
°
C
T
A
= 85
°
C
0
500
1000
1500
C
LOAD
(pF)
2000
2500
3000
3500
0
20
40
60
80
100
Rise and Fall Times vs. Capacitive Load
T
A
= 25
°
C, V
DD
= 16V
T
R
,
F
T
FALL
T
RISE
0
500
1000
1500
C
LOAD
(pF)
2000
2500
3000
3500
25
29
33
37
41
45
Propagation Delays vs. Capacitive Load
T
A
= 25
°
C, V
DD
= 16V
P
T
D2
T
D1
TYPICAL CHARACTERISTICS
(Cont.)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC1410 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| TC1410CPA | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| TC1410N | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| TC1410EOA | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| TC1410NEPA | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| TC1410EUA | 功能描述:功率驅(qū)動器IC .5A Sngl Drvr Inv MSOP8 RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| TC1410EUA713 | 功能描述:功率驅(qū)動器IC .5A Sngl Drvr Inv MSOP8 RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| TC1410N | 制造商:TELCOM 制造商全稱:TelCom Semiconductor, Inc 功能描述:0.5A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS |
| TC1410NCOA | 功能描述:功率驅(qū)動器IC .5A Sngl Drvr N-Inv SOIC8 RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| TC1410NCOA713 | 功能描述:功率驅(qū)動器IC .5A Sngl Drvr N-Inv SOIC8 RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。