參數(shù)資料
型號: TA32914Q
廠商: DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類: 晶閘管
英文描述: Asymmetric Thyristor
中文描述: 370 A, 1400 V, ASSYMETRIC SCR
封裝: MU86, 4 PIN
文件頁數(shù): 6/10頁
文件大小: 102K
代理商: TA32914Q
TA329..Q
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Fig.5 Maximum allowable peak on-state current vs pulse width for Tcase = 65C.
Notes:
1. dI/dt = 100A/
μ
s.
2. VD
600V.
3. VR = DF451 Diode voltage drop.
4. R.C. snubber. C = 0.1
μ
F, R = 33
.
5. Double side cooled.
Fig.6 Maximum allowable peak on-state current vs pulse width for Tcase = 90C.
Notes:
1. dI/dt = 100A/
μ
s.
2. VD
600V.
3. VR = DF451 Diode voltage drop.
4. R.C. snubber. C = 0.1
μ
F, R = 33
.
5. Double side cooled.
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