參數(shù)資料
型號： T835-400B
廠商： 意法半導體
英文描述： HIGH PERFORMANCE TRIACS
中文描述： 高性能雙向可控硅
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 102K
代理商： T835-400B
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
(A)
TSM
Tj initial=25°C
F=50Hz
Number of cycles
Fig 6:
Non repetitive surge peak on-state current
versus number of cycles.
1
2
5
10
10
100
500
I
(A),I2t(A2s)
TSM
Tj initial=25°C
ITSM
I2t
tp(ms)
Fig 7:
Non repetitive surge peak on-state current
for a sinusoidal pulse with width tp<10ms, and cor-
responding value of I
2
t.
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
0.1
1.0
10.0
100.0
I
(A)
TM
Tj=25°C
Tj max.:
Vto=0.8V
Rt=60m
Tj=Tj max.
V
(V)
TM
Fig 8:
On-state characteristics (maximum values).
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0
20
40
60
80
100
Rth(j-a) (°C/W)
S(Cu) (cm2)
Fig 9:
Thermal resistance junction to ambient ver-
sus copper surface under tab (Epoxy printed circuit
board FR4, copper thickness: 35
μ
m).
T810-xxxB / T835-xxxB
4/5
相關PDF資料
PDF描述
T810-400B HIGH PERFORMANCE TRIACS
T810-XXXB HIGH PERFORMANCE TRIACS
T835-600G HIGH PERFORMANCE TRIAC
T835-600 HIGH PERFORMANCE TRIAC
T850-600G HIGH PERFORMANCE TRIAC
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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T835-600B-TR 功能描述:雙向可控硅 8.0 Amp 600 Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):16 A 不重復通態(tài)電流:120 A 額定重復關閉狀態(tài)電壓 VDRM:600 V 關閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 開啟狀態(tài)電壓: 保持電流（Ih 最大值）:45 mA 柵觸發(fā)電壓 (Vgt):1.3 V 柵觸發(fā)電流 (Igt):1.75 mA 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AB
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