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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T810-600H-RG |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 8A TRIACS |
| 中文描述： | 8A條雙向可控硅 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/10頁(yè) |
| 文件大小： | 112K |
| 代理商： | T810-600H-RG |
BTA/BTB08 and T8 Series
5/10
Fig. 1:
Maximum power dissipation versus RMS
on-state current (full cycle).
Fig. 2-1:
RMS on-state current versus case
temperature (full cycle).
Fig. 2-2:
RMS on-state current versus ambient
temperature (printed circuit board FR4, copper
thickness: 35μm),full cycle.
Fig. 3:
Relative variation of thermal impedance
versus pulse duration.
Fig. 4:
On-state characteristics (maximum
values).
Fig. 5:
Surge peak on-state current versus
number of cycles.
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
P (W)
IT(RMS)(A)
0
25
50
75
100
125
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
IT(RMS) (A)
BTA
BTB/T8
Tc(°C)
0
25
50
75
100
125
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
IT(RMS) (A)
D PAK
(S=1cm )
2
Tamb(°C)
DPAK
(S=0.5cm )
2
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
1E+1
1E+2 5E+2
1E-3
1E-2
1E-1
1E+0
K=[Zth/Rth]
Zth(j-c)
TO-220AB/D2PAK
Zth(j-a)
DPAK/IPAK
Zth(j-a)
tp(s)
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
1
10
100
ITM (A)
Tj=25°C
Tj=Tj max
Tj max.
Vto = 0.85V
Rd = 50 m
VTM(V)
1
10
100
1000
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
ITSM (A)
Non repetitive
Tj initial=25°C
Repetitive
Tc=100°C
One cycle
t=20ms
Number of cycles
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T810-800B-RG | 8A TRIACS |
| T810-800G-RG | 8A TRIACS |
| T810-800H-RG | 8A TRIACS |
| T835-600B-RG | 8A TRIACS |
| T835-600G-RG | 8A TRIACS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T810-600H-TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8A TRIACS |
| T810-600R | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8A TRIACS |
| T810-600R-TR | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8A TRIACS |
| T810-800B | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8A TRIACS |
| T810-800BTR | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Thyristor TRIAC 800V 84A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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