參數(shù)資料
型號： T68S1MTI-7
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Low Power 1M (128Kx8)-Bits Static RAM
中文描述： 低功耗100萬（128Kx8）位靜態(tài)存儲器
文件頁數(shù)： 7/14頁
文件大?。?/td> 156K
代理商： T68S1MTI-7
2003-REV 090
T68 K/S/R 1M
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Condition
C
IN
Input Capacitance
-
8pF
C
IO
Input/Output Capacitance
-
10pF
Unmeasured pins set
to 0V
1. The Capacitances listed in the above table are sampled, not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Unit
T68K1M
2.0
-
3.6
T68S1M
1.5
-
2.7
V
DR
V
CC
for Data
Retention
T68R1M
Standby Mode
1.0
-
2.2
V
C-Grade
-
-
2
E-Grade
-
-
3
T68K1M
V
CC
=2.0V and
CMOS Standby mode
(1)
I-Grade
-
-
3
C-Grade
-
-
1
E-Grade
-
-
2
T68S1M
V
CC
=1.5V and
CMOS Standby mode
(1)
I-Grade
-
-
2
C-Grade
-
-
1
E-Grade
-
-
2
I
DR
Data Retention
Current
T68R1M
V
CC
=1.0V and
CMOS Standby mode
(1)
I-Grade
-
-
2
uA
T
SDR
Data Retention Setup Time
0
-
-
ns
T
RDR
Data Retention Recovery Time
Note: 1. Standby mode: /CE1
≥
Vcc-0.2V or CE2
≤
Vss+0.2V
See data retention waveform
T
RC
-
-
ns
Symbol
Parameter
Rating
Unit
T68K1M
2.7 ~ 3.6
V
T68S1M
2.2 ~ 2.7
V
V
CC
T68R1M
Supply Voltage
1.65 ~ 2.2
V
V
SS
Ground
0
V
T68K1M
2.2 ~ V
CC
+0.5
V
T68S1M
2.0 ~ V
CC
+0.5
V
V
IH
T68R1M
Input High Voltage
1.4 ~ V
CC
+0.5
V
T68K1M
-0.5 ~ 0.6
V
T68S1M
-0.5 ~ 0.6
V
V
IL
T68R1M
Input Low Voltage
-0.5 ~ 0.4
V
￠
RECOMMENDED DC OPERATI NG RANGE
￠
CAPACITANCES
( 1)
￠
DATA RENTATI ON CHARACTERI STI CS
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PDF描述
T68S1MTI-8 Low Power 1M (128Kx8)-Bits Static RAM
T68K1MGC-7 Low Power 1M (128Kx8)-Bits Static RAM
T68K1MGC-8 Low Power 1M (128Kx8)-Bits Static RAM
T68K1MGE-7 Low Power 1M (128Kx8)-Bits Static RAM
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T68SST 制造商:Thomas & Betts 功能描述:2 CONDUIT BODY,316SS,T,FORM 8
T6904 制造商:TE Connectivity 功能描述:
T690775-10 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
T6907E 制造商:TE Connectivity 功能描述:
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