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參數(shù)資料
| 型號： | T68S1MGE-8 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Low Power 1M (128Kx8)-Bits Static RAM |
| 中文描述： | 低功耗100萬（128Kx8）位靜態(tài)存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 8/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 156K |
| 代理商： | T68S1MGE-8 |
2003-REV 090
22
T68 K/S/R 1M
Symbol
I
LI
Parameter
Test Condition
V
IN
= V
SS
to V
CC
/CE1=V
IH
CE2=V
IL
or /OE=V
IH
or /WE=V
IL
, V
IO
=V
SS
to V
CC
/CE1
≤
0.2V, CE2
≥
V
CC
-0.2V,
V
IN
≤
0.2V or V
IN
≥
V
CC
-0.2V
Cycle time = 1
μ
s, 100%duty,
I
IO
=0mA
/CE1=V
IL
, CE2=V
IH
, V
IN
=V
IH
or
V
IN
=V
IL,
Cycle time = min, 100% duty,
I
IO
=0mA
T68K1M IOL = 2.0mA
T68S1M IOL = 0.5mA
T68R1M IOL = 0.2mA
T68K1M IOH = -1.0mA
T68S1M IOH = -0.5mA
T68R1M IOH = -0.1mA
T68K1M
T68S1M
T68R1M
T68K1M
T68S1M
T68R1M
other inputs = 0 to V
CC
Min
-1
Typ
-
Max
1
Unit
μ
A
Input Leakage Current
I
LO
Output Leakage Current
-1
-
1
μ
A
T68K1M
-
3
(1)
6
T68S1M
-
3
(1)
6
I
CC1
T68R1M
-
2
(1)
4
mA
T68K1M
-
15
(1)
20
T68S1M
-
15
(1)
20
I
CC2
Average Operating Current
T68R1M
-
10
(1)
15
mA
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.4
0.4
0.4
-
-
-
0.2
0.2
0.2
3
3
2
V
OL
Output Low Voltage
V
2.2
2.0
1.4
-
-
-
-
-
-
V
OH
Output High Voltage
V
I
SB
TTL Standby Current
/CE1=V
IH
or CE2= V
IL
,
other inputs = V
IH
or V
IL
mA
1.0
(1)
1.0
(1)
0.8
(1)
I
SB1
CMOS Standby Current
/CE1
≥
V
CC
-0.2V or
CE2
≤
V
SS
+0.2V ,
μ
A
Note: 1. Ta=25
o
C, V
CC
=3.0V (K), V
CC
=2.5V (S), and V
CC
=1.8V (R), not 100% tested
.
￠
D C ELECTRI CAL CHARACTERI STI CS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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