參數(shù)資料
型號: T221160A-30J
廠商: TM Technology, Inc.
英文描述: 64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE
中文描述: 64K的× 16動態(tài)RAM快速頁面模式
文件頁數(shù): 14/14頁
文件大小: 134K
代理商: T221160A-30J
TE
CH
tm
PACKAGE DIMENSIONS
40-LEAD TSOP II DRAM (400 mil)
T221160A
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right
P. 14
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2002
Revision:A
SEATING PLANE
E E1
D
b
e
A
A2
A1
L1
L
y
θ
1
20
21
40
SYMBOL
A
A1
A2
b
e
D
E
E1
L1
L
y
θ
DIMENSIONS IN INCHES
0.047(max)
0.004±0.002
0.039±0.002
0.014(typ.)
0.0315(typ.)
0.725±0.004
0.463±0.008
0.400±0.004
0.031
0.020±0.004
0.004(max)
0
°
~5
°
DIMENSIONS IN MM
1.20(max)
0.10±0.05
1.00±0.05
0.35(typ.)
0.80typ.)
18.41±0.10
11.76±0.20
10.16±0.10
0.80
0.500±0.10
0.10(max)
0
°
~5
°
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PDF描述
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T221160A-35S 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:64K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE
T221N 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHASE CONTROL THYRISTORS
T221N08BOF 功能描述:SCR模塊 800V 6.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 開啟狀態(tài) RMS 電流 (It RMS):260 A 不重復(fù)通態(tài)電流:4000 A 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:4200 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:1.6 kV 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 開啟狀態(tài)電壓:1.43 V 保持電流(Ih 最大值): 柵觸發(fā)電壓 (Vgt): 柵觸發(fā)電流 (Igt): 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:Chassis 封裝 / 箱體:INT-A-PAK