參數(shù)資料
型號(hào)： T10C220E
廠商： CRYDOM CORP
元件分類(lèi)： 浪涌電流限制器
英文描述： 265 V, 250 A, SILICON SURGE PROTECTOR
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大小： 304K
代理商： T10C220E
Selecting a SiBOD Device
1. When selecting a device, it is important
that the VRM of the device be equal to or
greater than the operating voltage of the
system. For example, when protecting
the ringing circuit of a telephone handset,
SiBOD VRM > VDC + RINGING VOLTAGE
SiBOD VRM > VDC + V
√2XRINGINGVOLTAGE
2. The minimum holding current (IH) of the
device must be carefully selected if the
SiBOD is to reset after diverting a surge.
The minimum IH value of the SiBOD must
be greater than the current the system is
capable of delivering, otherwise the
device will remain conducting following
a transient condition.
To Order: 1-877-502-5500 Fax: 1-858-715-7280
3
Thyristors (SiBOD Breakover Devices)
SiBOD
Series
Application Notes
VOLTAGE
VOLTS
800
1500
1000
1500
600
1000
2500
1000
1500
1000
1500
4000
1500
1000
2000
Level 3
Level 4
2000
WAVEFORM
SEC
10x560
10x160
9x720
10x1000
10x360
10x1000
2x10
10x360
10x700
.5x700
10x700
1.2x50
10x700
1.2x50
10x700
CURRENT
AMPS
100
200
25
37.5
100
500
25
37.5
25/100
37.5
100
38
25
50
100
50
WAVEFORM
SEC
10x560
10x160
5x320
10x1000
10x360
10x1000
2x10
10x360
5x310
.2x310
.8x310
5x310
1x20
5x310
8x20
5x310
IH>
SYSTEM VOLTAGE
SOURCE IMPEDANCE
The SiBOD range can be used to protect against surges
as defined in the following International Standards
Standard
FCC Part 68
Surge A Metallic
Surge A Longitudinal
Surge B Metallic
Surge B Longitudinal
Bellcore GR 1089
1
2
3
4
5
ITU K.17
ITU K.20
ITU K.21
RLM 88, CNET
CNET 131-24
VDE 0433
VDE 0878
IEC 61000-4-5
FTZ R12
SIBOD
SERIES
B or C
C
A, B or C
C
B or C
C
A, B or C
B or C
A, B or C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
T10C270B 360 V, 250 A, SILICON SURGE PROTECTOR
T10C270E 360 V, 250 A, SILICON SURGE PROTECTOR
T10C080E 120 V, 250 A, SILICON SURGE PROTECTOR
T10C180E 210 V, 250 A, SILICON SURGE PROTECTOR
TD60F10KFC-A 150 A, 1000 V, SCR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
T10C220EF 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
T10C220J 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
T10C220JF 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
T10C250J 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
T10C250JF 功能描述:硅對(duì)稱(chēng)二端開(kāi)關(guān)元件 100A RoHS:否 制造商:Bourns 轉(zhuǎn)折電流 VBO:40 V 最大轉(zhuǎn)折電流 IBO:800 mA 不重復(fù)通態(tài)電流: 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓 VDRM:25 V 關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在 VDRM IDRM 下）: 保持電流（Ih 最大值）:50 mA 開(kāi)啟狀態(tài)電壓:5 V 關(guān)閉狀態(tài)電容 CO:120 pF 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AA
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