參數(shù)資料
型號(hào)： T0930
廠商： TEMIC SEMICONDUCTORS
元件分類： 衰減器
英文描述： SiGe Power Amplifier for CW Applications
中文描述： 880 MHz - 920 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
封裝： PSSOP-16
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 144K
代理商： T0930
3
T0930
4722A–SIGE–06/03
Absolute Maximum Ratings
All voltages refer to GND
Parameters
Symbol
Min.
Max.
Unit
Supply voltage V
CC
at VCTL = 1.7 V, Pin 5
Pin 1, 2, 3
Pins 11, 12, 13, 14 and 15
Pin 9
V
CC1
V
CC2
V
CC3
V
CC, CTL
P
in
V
CTL
4
4
4
4
V
Input power, Pin 6
Gain control voltage
(1)
, Pin 8
12
dBm
0
2
V
Duty cycle for operation
100
%
Junction temperature
T
j
T
stg
+150
C
Storage temperature
-40
+150
C
Note:
1. The gain control voltage should always be 0.2 V below the supply voltage. RF should be applied before ramp-up.
Operating Range
All voltages referred to GND
Parameters
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Supply voltage V
CC
(1)
1 W application
V
CC1
, V
CC2,
V
CC3,
V
CC, CTL
V
CC1
, V
CC2,
V
CC3,
V
CC, CTL
T
amb
f
in
1.8
2.4
3
V
Supply voltage V
CC
(1)
2 W application
2.6
3.2
3.6
V
Ambient temperature
-25
+85
C
Input frequency
900
MHz
Note:
1. The gain control voltage should be always 0.2 V below the supply voltage. RF should be applied before ramp-up.
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PDF描述
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