| 型號(hào) | PHB21N06LT | 廠家 | NXP/恩智浦 |
| 批號(hào) | NA | 封裝 | TO-263 |
數(shù)據(jù)列表 PHB,PHD,PHP21N06LT;
標(biāo)準(zhǔn)包裝 800
包裝 標(biāo)準(zhǔn)卷帶
零件狀態(tài) 在售
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 TrenchMOS??
規(guī)格
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 19A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 70 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 9.4nC @ 5V
Vgs（最大值） ±15V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 650pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 56W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 D2PAK
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
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