| 型號 | PHD108NQ03LT | 廠家 | NXP/恩智浦 |
| 批號 | NA | 封裝 | TO252 |
數(shù)據(jù)列表 PHB,PHD,PHU108NQ03LT;
標準包裝 2,500
包裝 標準卷帶
零件狀態(tài) 停產
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 TrenchMOS??
規(guī)格
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 25V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 75A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 6 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 16.3nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1375pF @ 12V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 187W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 DPAK
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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