STL57N65M5介紹：
描述 MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 42 周
詳細(xì)描述 表面貼裝 N 溝道 650V 4.3A（Ta），22.5A（Tc） 2.8W（Ta），189W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMICroelectronics
系列 MDmesh? V
包裝 帶卷（TR）
零件狀態(tài) 在售
FET 類型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時） 4.3A（Ta），22.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 69 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 110nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4200pF @ 100V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），189W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝 PowerFlat?（8x8） HV
封裝/外殼 8-PowerVDFN
晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非?？?，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
意法半導(dǎo)體是全球第五大半導(dǎo)體廠商，在很多市場居世界領(lǐng)先水平。例如，意法半導(dǎo)體是世界第一大專用模擬芯片和電源轉(zhuǎn)換芯片制造商，世界第一大工業(yè)半導(dǎo)體和機(jī)頂盒芯片供應(yīng)商，而且在分立器件、手機(jī)相機(jī)模塊和車用集成電路領(lǐng)域居世界前列。
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