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STP55NF06介紹：
描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO-220
制造商標(biāo)準(zhǔn)提前期 38 周
詳細(xì)描述 通孔 N 溝道 60V 50A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管 - FET，MOSFET - 單
制造商 STMICroelectronics
系列 STripFET?? II
零件狀態(tài) 在售
FET 類(lèi)型 N 溝道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 50A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 18 毫歐 @ 27.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 60nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 1300pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 110W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3
具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者.
憑借在硅晶和系統(tǒng)專(zhuān)業(yè)知識(shí)、強(qiáng)大的制造能力、知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP) 組合以及戰(zhàn)略合作伙伴等多方面無(wú)與倫比的組合，公司一直處于片上系統(tǒng) (SoC) 技術(shù)領(lǐng)域的前沿，并使其產(chǎn)品在推動(dòng)當(dāng)今大融合趨勢(shì)的過(guò)程中發(fā)揮關(guān)鍵作用。
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