制造商編號:IRFR5505TRPBF
制造商:Infineon Technologies
說明:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC
制造商: Infineon產(chǎn)品種類: MOSFETRoHS: 詳細信息技術: Si安裝風格: SMD/SMT封裝 / 箱體: TO-252-3通道數(shù)量: 1 Channel晶體管極性: P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓: - 55 VId-連續(xù)漏極電流: - 18 ARds On-漏源導通電阻: 110 mOhmsVgs th-柵源極閾值電壓: - 4 VVgs - 柵極-源極電壓: 20 VQg-柵極電荷: 32 nC最小工作溫度: - 55 C最大工作溫度: + 150 C配置: SinglePd-功率耗散: 57 W通道模式: Enhancement封裝: Cut Tape封裝: MouseReel封裝: Reel高度: 2.3 mm長度: 6.5 mm晶體管類型: 1 P-Channel類型: HEXFET Power MOSFET寬度: 6.22 mm商標: Infineon Technologies正向跨導 - 最小值: 4.2 S下降時間: 16 ns產(chǎn)品類型: MOSFET上升時間: 28 ns工廠包裝數(shù)量: 2000子類別: MOSFETs典型關閉延遲時間: 20 ns典型接通延遲時間: 12 ns零件號別名: SP001573294單位重量: 4 g
產(chǎn)品供應商:深圳市恒勝泰科技有限公司
原裝正品現(xiàn)貨供應: