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-IRFR5505TRPBF MOS場(chǎng)效應(yīng)管 P溝道FR5505 TO-252原裝現(xiàn)貨 品牌:IR 型號(hào):IRFR5505TRPBF 類別:貼片 結(jié)構(gòu):平面型 封裝形式:TO-252 材料:硅 極性:PNP型 電流容量:小功率 封裝材料:塑料封裝-買賣IC網(wǎng)
IRFR5505TRPBF MOS場(chǎng)效應(yīng)管 P溝道FR5505 TO-252原裝現(xiàn)貨
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，IRFR5505TRPBF MOS場(chǎng)效應(yīng)管 P溝道FR5505 TO-252原裝現(xiàn)貨

  • 當(dāng) 前 價(jià)： -
  • 最小起訂： 1pcs
  • 供貨總量： 8562200000pcs
  • 點(diǎn)此詢價(jià)
  • 發(fā) 貨 期： 7 天內(nèi)發(fā)貨
  • 所 在 地： 廣東 深圳市 福田區(qū)
  • 發(fā)布日期： 2018年07月18日
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品牌IR型號(hào)IRFR5505TRPBF
類別貼片結(jié)構(gòu)平面型
封裝形式TO-252材料硅
極性PNP型電流容量小功率
封裝材料塑料封裝  

制造商編號(hào)：IRFR5505TRPBF

制造商：Infineon Technologies

說(shuō)明：MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 110mOhms 21.3nC

制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數(shù)量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: - 55 V
Id-連續(xù)漏極電流: - 18 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 110 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: - 4 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 32 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 57 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 2.3 mm
長(zhǎng)度: 6.5 mm
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: HEXFET Power MOSFET
寬度: 6.22 mm
商標(biāo): Infineon Technologies
正向跨導(dǎo) - 最小值: 4.2 S
下降時(shí)間: 16 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 28 ns
工廠包裝數(shù)量: 2000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 20 ns
典型接通延遲時(shí)間: 12 ns
零件號(hào)別名: SP001573294
單位重量: 4 g

產(chǎn)品供應(yīng)商：深圳市恒勝泰科技有限公司


原廠進(jìn)口現(xiàn)貨：

IXFX64N60Q3
IXFN32N100Q3
IXYN82N120C3H1
IXFN100N50Q3
IXFT50N30Q3
IXFR15N100Q3
IXFT70N30Q3
IXFT60N50P3
IXFH42N60P3
IXFK24N100Q3
IXFR44N50Q3
IXFB82N60Q3
IXFQ28N60P3
IXXK100N60C3H1
IXFX44N80Q3
IXFT18N100Q3
IXFB132N50P3
IXFH50N30Q3
IXXH50N60C3
IXFK80N50Q3
IXFN110N60P3
IXFB44N100Q3
IXFR32N100Q3
IXFK80N60P3
FMP26-02P
IXYH82N120C3
IXFN44N80Q3
IXFN82N60Q3
IXFX80N50Q3
IXFT70N20Q3

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