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-高速PN、PIN、APD等光電探測(cè)器 型號(hào):高速PN、PIN、APD等光電探測(cè)器 廠家:1 批號(hào):17 封裝:sop-買賣IC網(wǎng)
高速PN、PIN、APD等光電探測(cè)器
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,高速PN、PIN、APD等光電探測(cè)器

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  • 發(fā)布日期: 2017年06月05日
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型號(hào)高速PN、PIN、APD等光電探測(cè)器廠家1
批號(hào)17封裝sop
高速PN、PIN、APD光電探測(cè)器
產(chǎn)品規(guī)格: PN、PIN 、 APD、PbS、PbSe、HgCdTe
產(chǎn)品介紹:         商運(yùn)達(dá)公司提供新一代高性能紫外、可見(jiàn)光、紅外光電探測(cè)器和組件,服務(wù)于商用,軍事/航空,醫(yī)療,和消費(fèi)類市場(chǎng)。產(chǎn)品分類:


一、:

1、InGaAsAPD光電探測(cè)器:(900nm-1700nm)高質(zhì)量陶瓷以及光纖封裝。典型應(yīng)用于通信,數(shù)據(jù)傳輸,人眼安全激光測(cè)距機(jī)等。
型號(hào):C30644E、C30645E、C30733、C30662E

2、InGaAsPIN(小面積)光電探測(cè)器:(900nm-1700nm)高質(zhì)量陶瓷以及光纖封裝。典型應(yīng)用于通信,數(shù)據(jù)傳輸,儀表等。
型號(hào):C30616E、C30637E

3、InGaAsPIN(大面積)光電探測(cè)器:(900nm-1700nm)高質(zhì)量窗口以及光纖封裝。典型應(yīng)用于光功率表,人眼安全激光通信,儀表等。
型號(hào):C30619G、C30641G、C30665G、C30723G

4、InGaAsPIN(大面積)擴(kuò)展波長(zhǎng)光電探測(cè)器:(1um-2.5um)高質(zhì)量陶瓷封裝,提供不帶制冷器、一級(jí)制冷器和二級(jí)制冷器三種封裝的產(chǎn)品。典型應(yīng)用于非破壞性檢查,水汽測(cè)量,生物化學(xué)應(yīng)用,環(huán)境監(jiān)控等,需要相關(guān)資料,請(qǐng)咨詢。

二、:

1、SiliconAPD標(biāo)準(zhǔn)雪崩管:(400nm-1100nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于熒光探測(cè),小信號(hào)快速探測(cè),LIDAR,光子計(jì)數(shù),數(shù)據(jù)傳輸,儀表,自適應(yīng)光學(xué),共焦微透鏡等。
型號(hào):C30817E、C30872E、C30902E、C30916E

2、SiliconAPD光電探測(cè)器陣列:(400nm-1100nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于LIDAR,分光鏡,粒子探測(cè),自適應(yīng)光學(xué),跟蹤系統(tǒng)等。
型號(hào):四象限陣列C30927E、線性陣列C30985E

3、SiliconAPD低價(jià)格光電探測(cè)器:(400nm-1100nm)大量,低價(jià)格探測(cè)器。典型應(yīng)用于激光測(cè)距,防碰撞系統(tǒng)等。
型號(hào):低增益C30724、高增益C30737E

4、SiliconAPD熱電致能型光電探測(cè)器:(400nm-1100nm)帶一級(jí)或者兩級(jí)熱電致冷器,冷卻APD,減少小信號(hào)探測(cè)時(shí)的熱噪聲,內(nèi)部集成的熱電阻用來(lái)溫度監(jiān)控以及致冷器控制。典型應(yīng)用于小信號(hào)熒光探測(cè),光子計(jì)數(shù),快速或者微弱信號(hào)探測(cè),自適應(yīng)光學(xué)等。型號(hào):C30902S-TC,C30902S-DTC

5、SiliconAPD近紅外增強(qiáng)型(1.064um)光電探測(cè)器:密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于LIDAR,紅外激光測(cè)距,熒光探測(cè),快速或者小信號(hào)探測(cè)。
型號(hào):C30954E,C30955E,C30956E

6、SiliconAPD光纖耦合型光電探測(cè)器:光纖耦合封裝。典型應(yīng)用于光纖數(shù)據(jù)傳輸,遠(yuǎn)程光傳感器,小信號(hào)探測(cè)等。
型號(hào):C30921

7、SiliconAPD輻射探測(cè)器:大光敏面積,平板封裝。典型應(yīng)用于直接探測(cè)光,x-Rays,電子的輻射。
型號(hào):C30626,C30703


三、:

1、SiliconPIN窗口以及光纖封裝光電探測(cè)器:(400nm-1100nm)高速,P型設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用于快速激光脈沖探測(cè),光纖通訊,儀表等。
型號(hào):C30971

2、SiliconPIN大面積光電探測(cè)器:(400nm-1100nm)高質(zhì)量,高速度,N型設(shè)計(jì),密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于激光探測(cè)系統(tǒng),快速脈沖探測(cè),儀表等。
型號(hào):FFD-100、FFD-200

3、SiliconPIN四象限光電探測(cè)器:(220nm-1100nm)N型設(shè)計(jì),密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于光斑位置跟蹤,測(cè)量脈沖激光或者連續(xù)激光x-軸和y-軸的方向。
型號(hào):C30845E、UV-140BQ-4、YAG-444-4A

4、SiliconPIN標(biāo)準(zhǔn)N型光電探測(cè)器:(400nm-1100nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于激光探測(cè)系統(tǒng),光度計(jì),數(shù)據(jù)傳輸,儀表等。
型號(hào):C30807E、C30808E、C30822E、C30809E、C30810E

5、SiliconPIN紫外增強(qiáng)型光電探測(cè)器:(220nm-1100nm)低噪聲,標(biāo)準(zhǔn)N型設(shè)計(jì),密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于紫外光表,可見(jiàn)光表,光度計(jì),熒光探測(cè),分光鏡,微光探測(cè)傳感器,儀表等。
型號(hào):UV-040BQ、UV-100BQ、UV-215BQ、UV-140BQ

6、Silicon/Silicon雙色光電探測(cè)器:(400nm-1100nm),DTC系列包括兩個(gè)探測(cè)器,密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于雙波長(zhǎng)功率表,雙色溫度測(cè)量等。
型號(hào):DTC140

7、SiliconPIN表面貼裝光電探測(cè)器:CFD10、CR10DE、CR50DE、SR10BP、SR10BP-B6、SiliconPIN低帶寬(1kHz-50kHz)光電探測(cè)模塊:(220nm-1100nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于紫外信號(hào)探測(cè),光度計(jì)等。
型號(hào):HUV-2000B、HUV-1100BG

8、窄光譜響應(yīng)光電探測(cè)器SR10SPD系列,不需要額外的濾波器,表面貼裝。
型號(hào):SR10SPD 470-0.9 ( 470nm中心波長(zhǎng))、SR10SPD 525-0.9 ( 525nm中心波長(zhǎng))、SR10SPD 880-0.9 ( 880nm中心波長(zhǎng))

9、SiliconPIN/APD高帶寬(40MHz-100MHz)光電探測(cè)模塊:(400nm-1100nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于激光信號(hào)探測(cè),儀表等。
型號(hào):C30608E、C30950E、C30919E

10、Silicon/InGaAs APD高帶寬(50MHz-200MHz)光電探測(cè)模塊:(400nm-1700nm)密封陶瓷封裝。典型應(yīng)用于激光信號(hào)探測(cè),儀表等。
型號(hào):C30659-900-R5B、C30659-900-R8A、C30659-1060-R8B、C30659-1060-3A、C30659-1550-R08B、C30659-1550-R2(C30659E-CD2982)


四、SilicoNPN硅光電池:

 ?。?90nm-1100nm),增強(qiáng)光譜從UV(190nm)-NearIR(900nm),高阻抗,低噪聲,低暗電流,適合光電型、弱信號(hào)探測(cè)應(yīng)用。有效探測(cè)面積從1.6mm2— 37.7mm2。封裝型式包括TO-46、TO-18、TO-5、TO-8封裝,石英和紫外窗口陶瓷封裝。典型應(yīng)用:紫外、可見(jiàn)、紅外分光光度計(jì)、生化分析儀、驗(yàn)鈔機(jī)、紫外曝光表、紫外水質(zhì)凈化、熒光探測(cè),以及其它分光鏡應(yīng)用。

        VTP系列,硅光電池探測(cè)器,低價(jià)格,極好的光電流線性,快速響應(yīng)時(shí)間,探測(cè)可見(jiàn)光以及近紅外光源,例如LED,氖燈,熒光燈,NIR激光管,火焰,陽(yáng)光以及其它光源。典型應(yīng)用:NIR傳感器,醫(yī)療紅外傳感器,紅外安全設(shè)備,工業(yè)用紅外傳感器,紅外接近傳感器,紅外激光探測(cè)器。

        VTA系列硅光電池探測(cè)器陣列,64單元。


五、波長(zhǎng)傳感器(450-900nm),可準(zhǔn)確檢測(cè)確定單色激光或者LEDS光源的單色光的波長(zhǎng),與其他同類產(chǎn)品不同的是,其輸出不受所測(cè)光線強(qiáng)度的影響,光譜分辨率:0.01nm。


六、紅外光電探測(cè)器(探測(cè)器類型Silicon-Germanium-InGaAs-exInGaAs-InAs-InSb-PbS-PbSe-HgCdTe),能夠靈敏探測(cè)在0.2-40+microns波長(zhǎng)范圍內(nèi)的紅外光,以其在長(zhǎng)波長(zhǎng)方面的高靈敏度和快速探測(cè),具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。這些探測(cè)器工作在室溫或者TE-Cooled情況下,各種TO類型封裝。典型應(yīng)用:脈沖、調(diào)制和連續(xù)CO2激光輻射探測(cè)和監(jiān)控,外差式檢波探測(cè),2to12μm低頻和高頻調(diào)制輻射探測(cè),激光測(cè)量,激光預(yù)警接收器,激光雷達(dá)、激光測(cè)距和激光通訊,追蹤、定位系統(tǒng),行掃描儀,快速多色高溫計(jì),紅外分光光度計(jì),熱成像掃描儀,遙感,氣體分析,火焰探測(cè)器,人體探測(cè)等。

  如果需要硅(Si)、鍺(Ge)、銦稼砷(InGaAs)、硫化鉛(PbS)、硒化鉛(PbSe)、銻鎘汞(HgCdTe)等探測(cè)器的相關(guān)資料,請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系!

 
PMT光電倍增管及模塊

英國(guó)ET Enterprises公司——光電倍增管專業(yè)生產(chǎn)商
英國(guó)ET Enterprises公司由著名的EMI公司光電倍增管事業(yè)部組建而成,是世界上最早研制、生產(chǎn)光電倍增管的廠家,已經(jīng)擁有70多年的歷史。針對(duì)各種光信號(hào)檢測(cè),尤其是微弱光信號(hào),ET公司為您提供高性能、低噪聲、高穩(wěn)定性的光電倍增管產(chǎn)品。

光電倍增管(PMT)

? 藍(lán)綠光靈敏型PMT

采用藍(lán)光靈敏的雙堿陰極,側(cè)窗式或端窗式,各種尺寸可選

? 綠光靈敏型PMT

采用綠光靈敏的雙堿陰極,各種尺寸可選

? 紅光/紅外光靈敏型PMT

采用紅光/紅外光靈敏的多堿陰極,建議與制冷室配合使用

? 日盲管PMT

采用只對(duì)紫外/真空紫外靈敏的陰極材料,最短波長(zhǎng)可到110nm

? 耐高溫型PMT

采用耐高溫的雙堿陰極,最高可到200度,金屬陶瓷封裝或玻璃封裝。針對(duì)石油勘探、航空航天應(yīng)用,提供耐高溫、抗強(qiáng)沖擊震動(dòng)的產(chǎn)品

? 耐沖擊振動(dòng)型PMT


光電倍增管附件

PMT制冷室

 管套

磁屏蔽 

 管座及分壓器

放大器/鑒別器 

門控裝置 

英國(guó)Sens-Tech公司——PMT模塊
英國(guó)Sens-Tech公司的前身是著名的EMI公司,是X射線探測(cè)器、信號(hào)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)和光電倍增管模塊產(chǎn)品的專業(yè)供應(yīng)商,在光電探測(cè)領(lǐng)域擁有豐富的成功經(jīng)驗(yàn)。Sens-Tech的產(chǎn)品集信號(hào)探測(cè)、模擬信號(hào)放大、數(shù)字輸出于一體,有多種控制功能可供選擇,可方便地與計(jì)算機(jī)連接,實(shí)現(xiàn)圖像或信號(hào)的數(shù)字化處理

■ 光電倍增管模塊系列

Sens-Tech為您提供模塊化的光電倍增管產(chǎn)品,即插即用、經(jīng)濟(jì)實(shí)惠,既縮短了開(kāi)發(fā)周期,又降低了生產(chǎn)成本。光電倍增管模塊可集成光電倍增管、管座、分壓器、放大器、放大/鑒別器、計(jì)數(shù)器、門控電路等,提供的產(chǎn)品組合超過(guò)200多種。 

 

■ HVSys----多通道高壓電源控制系統(tǒng)

 主要特點(diǎn)

  1. 省去了眾多昂貴的高壓連接線和接插件
  2. 單個(gè)PCI卡可以控制254個(gè)獨(dú)立的管座電源             
  3. 增加RS485卡可對(duì)系統(tǒng)做進(jìn)一步擴(kuò)展
  4. 可編程設(shè)定及監(jiān)視系統(tǒng)各項(xiàng)參數(shù)
  5. 消除了電子抖動(dòng)的影響
  6. 圖形界面顯示各項(xiàng)參數(shù)
  7. 易于維護(hù)
 

 

 

■ 光子計(jì)數(shù)模式
工作于光子計(jì)數(shù)模式,可輸出TTL信號(hào),或通過(guò)

RS232直接與計(jì)算機(jī)連接

  1. 光子計(jì)數(shù)模式下計(jì)數(shù)率可達(dá)100MHz
  2. X射線檢測(cè)計(jì)數(shù)率可達(dá)10MHz
  3. 帶制冷的模塊可顯著降低暗計(jì)數(shù)值                  
 

 

 
■ 模擬信號(hào)探測(cè)模式
  1. 輸出模擬電流或電壓信號(hào)
  2. 快速檢測(cè)細(xì)菌活性
  3. 檢測(cè)SOx和NOx含量                                          
  4. 過(guò)程控制
 

 

■ 高壓電源

 

 

          

                

 

 管座型高壓電源

模塊型高壓電源 

臺(tái)式高壓電源 

 

 

 

 
主要特點(diǎn)有低噪聲、快速響應(yīng)、高靈敏度、高帶寬、高增益、低造價(jià)、受光面大小可選,主要用于雪崩光電二極管單光子探測(cè)器,激光探測(cè)、測(cè)距、激光測(cè)距、激光經(jīng)緯儀、警戒雷達(dá)、熒
   
    光檢測(cè)、微弱光檢測(cè)及高端醫(yī)療設(shè)備等,典型型號(hào)有AD230-8 TO52S1、AD230-8 TO52S3、AD230-9 TO52S1、AD230-8 TO52S3、AD500-8 TO52S1、AD500-9 TO52S3、AD500-8 TO52S3、AD500-9 TO52S1等  

APD雪崩二極管選型資料

一、系列8(高速高增益雪崩二極管)

 

型號(hào) 

受光面積 

響應(yīng)波長(zhǎng) 

實(shí)物

芯片

封裝

尺寸
mm

面積
mm2

波峰
nm

響應(yīng)波段nm

AD230-8

TO52S1

0.23

0.042

800

400-1100

1

AD230-8

TO52S3

0.23

0.042

800

400-1100

2

AD500-8

TO52S1

0.5

0.196

800

400-1100

3

AD500-8

TO52S3

0.5

0.196

800

400-1100

4

AD800-8

TO5i

0.8

0.5

800

400-1100

5

AD1100-8

TO5i

1.13

1

800

400-1100

6

AD1900-8

TO5i

1.95

3

800

400-1100

7

AD2500-8

TO5i

2.52

5

800

400-1100

8

AD100-8

TO52S1

0.1

0.00785

800

400-1100

9

 

 

 

  

  

  

  

二、系列9(近紅外增強(qiáng)雪崩二極管)

型號(hào)

受光面積

響應(yīng)波長(zhǎng)

實(shí)物

芯片

封裝

尺寸
mm

面積
mm2

波峰
nm

響應(yīng)波段nm

AD230-9

TO52S1

0.23

0.042

880

400-1100

1

AD230-9

TO52S3

0.23

0.042

880

400-1100

2

AD500-9

TO52S1

0.5

0.196

880

400-1100

3

AD500-9

TO52S3

0.5

0.196

880

400-1100

4

AD800-9

TO5i

0.8

0.5

880

400-1100

5

AD1100-9

TO5i

1.13

1

880

400-1100

6

AD1900-9

TO5i

1.95

3

880

400-1100

7

AD2500-9

TO5i

2.52

5

880

400-1100

8

AD3000-9

TO5i

3.0

7.0

880

400-1100

9

AD5000-9

TO5i

5.0

20.0

880

400-1100

10

三、系列10(YAG增強(qiáng)雪崩二極管)

型號(hào)

受光面積

響應(yīng)波長(zhǎng)

實(shí)物

芯片

封裝

尺寸
mm

面積
mm2

波峰
nm

響應(yīng)波段nm

AD500-10

TO5i

0.5

0.196

 

 

1

AD1500-10

TO5i

1.5

1.77

 

 

2

 

四、系列11(藍(lán)光增強(qiáng)雪崩二極管)

型號(hào)

受光面積

響應(yīng)波長(zhǎng)

實(shí)物

芯片

封裝

尺寸
mm

面積
mm2

波峰
nm

響應(yīng)波段nm

AD800-11

TO52S1

Φ0.5

0.196

 

 

1

AD1900-11

TO5i

Φ1.5

1.77

 

 

2

五、InGaAs APD雪崩二極管

型號(hào)

受光面積

響應(yīng)波長(zhǎng)

實(shí)物

芯片

封裝

尺寸
(um)

面積
(mm2)

波峰
(nm)

響應(yīng)波段
(nm)

IAE080X

 

Φ80

 

 1550

1000-1650 

1

IAE200X

 

Φ200

 

 1550

1000-1650 

2

APD雪崩二極管選型資料

一、系列8(高速高增益雪崩二極管)

型號(hào)

受光面積

響應(yīng)波長(zhǎng)

實(shí)物

芯片

封裝

尺寸
mm

面積
mm2

波峰
nm

響應(yīng)波段nm

AD230-8

TO52S1

0.23

0.042

800

400-1100

1

AD230-8

TO52S3

0.23

0.042

800

400-1100

2

AD500-8

TO52S1

0.5

0.196

800

400-1100

3

AD500-8

TO52S3

0.5

0.196

800

400-1100

4

AD800-8

TO5i

0.8

0.5

800

400-1100

5

AD1100-8

TO5i

1.13

1

800

400-1100

6

AD1900-8

TO5i

1.95

3

800

400-1100

7

AD2500-8

TO5i

2.52

5

800

400-1100

8

AD100-8

TO52S1

0.1

0.00785

800

400-1100

9

 

 

 

 

 

 

 

二、系列9(近紅外增強(qiáng)雪崩二極管)

型號(hào)

受光面積

響應(yīng)波長(zhǎng)

實(shí)物

芯片

封裝

尺寸
mm

面積
mm2

波峰
nm

響應(yīng)波段nm

AD230-9

TO52S1

0.23

0.042

880

400-1100

1

AD230-9

TO52S3

0.23

0.042

880

400-1100

2

AD500-9

TO52S1

0.5

0.196

880

400-1100

3

AD500-9

TO52S3

0.5

0.196

880

400-1100

4

AD800-9

TO5i

0.8

0.5

880

400-1100

5

AD1100-9

TO5i

1.13

1

880

400-1100

6

AD1900-9

TO5i

1.95

3

880

400-1100

7

AD2500-9

TO5i

2.52

5

880

400-1100

8

AD3000-9

TO5i

3.0

7.0

880

400-1100

9

AD5000-9

TO5i

5.0

20.0

880

400-1100

10

三、系列10(YAG增強(qiáng)雪崩二極管)

型號(hào)

受光面積

響應(yīng)波長(zhǎng)

實(shí)物

芯片

封裝

尺寸
mm

面積
mm2

波峰
nm

響應(yīng)波段nm

AD500-10

TO5i

0.5

0.196

 

 

1

AD1500-10

TO5i

1.5

1.77

 

 

2

 

 四、系列11(藍(lán)光增強(qiáng)雪崩二極管)

型號(hào)

受光面積

響應(yīng)波長(zhǎng)

實(shí)物

芯片

封裝

尺寸
mm

面積
mm2

波峰
nm

響應(yīng)波段nm

AD800-11

TO52S1

Φ0.5

0.196

 

 

1

AD1900-11

TO5i

Φ1.5

1.77

 

 

2

 

五、InGaAs APD雪崩二極管

型號(hào)

受光面積

響應(yīng)波長(zhǎng)

實(shí)物

芯片

封裝

尺寸
(um)

面積
(mm2)

波峰
(nm)

響應(yīng)波段
(nm)

IAE080X

 

Φ80

 

 1550

1000-1650 

1

IAE200X

 

Φ200

 

 1550

1000-1650 

2

 

 

圖文
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圖文
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圖文
圖文
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圖文
圖文
圖文
圖文
圖文
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