型號 | IRFZ24N | 廠家 | IR |
批號 | 新年份 | 封裝 | TO220 |
IRFZ24N IRFZ24NPBF 產(chǎn)品規(guī)格 參數(shù) PDF
數(shù)據(jù)列表 IRFZ24NPbF
產(chǎn)品相片 TO-220AB PKG
產(chǎn)品培訓模塊 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
設計資源 IRFZ24NPBF Saber Model
IRFZ24NPBF Spice Model
標準包裝 50
類別 分立半導體產(chǎn)品
家庭 FET - 單
系列 HEXFET?
包裝
管件
FET 類型 MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能 標準
漏源極電壓 (Vdss) 55V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時) 17A (Tc)
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值) 70 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 20nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入
電容 (Ciss) 370pF @ 25V
功率 - 最大值 45W
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
供應商器件封裝 TO-220AB
產(chǎn)品目錄頁面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱 *IRFZ24NPBF
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