數(shù)據(jù)列表 IRF9Z34NPbF 產(chǎn)品相片 TO-220AB PKG 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) PCN 組件/產(chǎn)地 TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013 標(biāo)準(zhǔn)包裝 50 類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 家庭 FET - 單 系列 HEXFET? 包裝 管件 FET 類型 MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能 標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓 (Vdss) 55V 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時） 19A （Tc） 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) 620pF @ 25V 功率 - 最大值 68W 安裝類型 通孔 封裝/外殼 TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB 產(chǎn)品目錄頁面 1518 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱 *IRF9Z34NPBF

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