數(shù)據(jù)列表IRF530NPbF
產(chǎn)品相片TO-220AB PKG
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
設(shè)計(jì)資源IRF530NPBF Saber Model
IRF530NPBF Spice Model
PCN 組件/產(chǎn)地TO-220 FET Alternate Site 05/Dec/2013
標(biāo)準(zhǔn)包裝  50類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品家庭FET - 單系列HEXFET?包裝  管件  FET 類型MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）17A （Tc）不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）90 毫歐 @ 9A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)37nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)920pF @ 25V功率 - 最大值70W安裝類型通孔封裝/外殼TO-220-3供應(yīng)商器件封裝TO-220AB產(chǎn)品目錄頁(yè)面1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱*IRF530NPBF