| 型號(hào) | STB4NK60Z | 廠家 | st |
| 批號(hào) | 新年份 | 封裝 | TO-262-3 |
STB4NK60Z 產(chǎn)品規(guī)格 參數(shù) PDF
數(shù)據(jù)列表STx4NK60Z(FP,-1)
產(chǎn)品相片TO-262-3 Long Leads
其它有關(guān)文件STB4NK60Z-1 View All SpecifICations
標(biāo)準(zhǔn)包裝
50類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品家庭FET - 單系列SuperMESH??包裝
管件 FET 類型MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）4A （Tc）不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）2 歐姆 @ 2A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 50μA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)26nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入
電容 (Ciss)510pF @ 25V功率 - 最大值70W安裝類型通孔封裝/外殼TO-262-3，長(zhǎng)引線，I2Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝I2PAK其它名稱497-12536-5
STB4NK60Z-1-ND
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