參數資料
型號： SUP85N03-04P
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
中文描述： N溝道30 V的（副）175C MOSFET的
文件頁數： 5/5頁
文件大小： 57K
代理商： SUP85N03-04P
SUP/SUB85N03-04P
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71241
S-20120
—
Rev. B, 12-Mar-02
www.vishay.com
5
THERMAL RATINGS
0
20
40
60
80
100
0
25
50
75
100
125
150
175
Safe Operating Area
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
1000
10
0.1
1
10
100
Limited
by r
DS(on)
0.1
100
T
= 25 C
Single Pulse
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
–
Ambient Temperature ( C)
–
I
D
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–
5
10
–
3
10
–
2
10
–
1
1
N
T
100
0.2
0.1
Duty Cycle = 0.5
–
I
D
1 ms
10 ms
100 ms
dc
10 s
100 s
Single Pulse
0.05
0.02
1
10
10
–
4
相關PDF資料
PDF描述
SUB85N03-04P N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUP85N03-07P N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET
SUP85N04-04-E3 N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUB85N04-04 N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
SUB85N04-04-E3 N-Channel 40-V (D-S) 175C MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
SUP85N03-04P-E3 功能描述:MOSFET 30V 85A 166W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP85N03-04P-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 85A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr
SUP85N03-07P 功能描述:MOSFET 30V 85A 107W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP85N03-07P-E3 功能描述:MOSFET 30V 85A 107W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP85N03-3M6P 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
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