參數(shù)資料
型號(hào)： SUP75N06-08
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
中文描述： N溝道60五（副），175葷M(mǎn)OSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
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代理商： SUP75N06-08
SUP/SUB75N06-08
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70283
S-05111
—
Rev. F, 10-Dec-01
On-Resistance vs. Junction Temperature
Source-Drain Diode Forward Voltage
(
–
r
D
T
J
–
Junction Temperature ( C)
V
SD
–
Source-to-Drain Voltage (V)
–
I
S
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
1
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
2
1
0.1
0.01
10
–
5
10
–
4
10
–
3
10
–
2
10
–
1
1
N
T
3
Safe Operating Area
Maximum Avalanche and Drain Current
vs. Case Temperature
T
C
–
Case Temperature ( C)
V
DS
–
Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
I
D
100
500
10
1
0
20
40
60
80
100
0
25
50
75
100
125
150
175
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
10 s
100 as
1 ms
10 ms
100 ms
dc
T
= 25 C
Single Pulse
Limited
by r
DS(on)
0.1
1
10
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SUB75N08-09L N-Channel 75-V (D-S), 175C MOSFET
SUP75N06 N-Channel Enhancement-Mode Transistors
SUP75N06-08 N-Channel Enhancement-Mode Transistors
SUP75N04-05L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB
SUB75N04-05L Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SUP75N06-08 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N TO-220AB
SUP75N06-08-E3 功能描述:MOSFET 60V 75A 250W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP75N06-12L 功能描述:MOSFET 60V 75A 142W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP75N06-12L-E3 功能描述:MOSFET 60V 75A 142W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SUP75N06-12L-T1-E3 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 60V, 75A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Curr
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